FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
FDU3N50NZTU

FDU3N50NZTU

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3

onsemi

2,352 -
RFQ
FDU3N50NZTU

Datenblatt

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.25A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±25V 280 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
PHD97NQ03LT,118

PHD97NQ03LT,118

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

Nexperia USA Inc.

3,973 -
RFQ
PHD97NQ03LT,118

Datenblatt

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 11.7 nC @ 4.5 V ±20V 1570 pF @ 12 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRLM120ATF

IRLM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

onsemi

2,809 -
RFQ
IRLM120ATF

Datenblatt

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.3A (Tc) 5V 220mOhm @ 1.15A, 5V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±20V 440 pF @ 25 V - 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
PHD97NQ03LT,118

PHD97NQ03LT,118

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

NXP USA Inc.

5,000 -
RFQ
PHD97NQ03LT,118

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTMFS4937NCT3G

NTMFS4937NCT3G

MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN

onsemi

8,129 -
RFQ

-

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10.2A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 2516 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
G1K1P06LH

G1K1P06LH

MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2

Goford Semiconductor

3,000 -
RFQ
G1K1P06LH

Datenblatt

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.5A (Tc) 10V 110mOhm @ -3A,- 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 970 pF @ 30 V - 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
IRLML6244TR

IRLML6244TR

MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML6244TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 21mOhm @ 6.3A, 4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML2030TR

IRLML2030TR

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML2030TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.7A (Ta) 4.5V, 10V 100mOhm @ 2.7A, 10V 2.3V @ 25µA - ±20V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML6246TR

IRLML6246TR

MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML6246TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 46mOhm @ 4.1A, 4.5V 1.1V @ 5µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML0100TR

IRLML0100TR

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML0100TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.6A (Ta) 4.5V, 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 2.5V @ 25µA - ±16V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML2060TR

IRLML2060TR

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML2060TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.2A (Ta) 4.5V, 10V 480mOhm @ 1.2A, 10V 2.5V @ 25µA - ±16V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML6346TR

IRLML6346TR

MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML6346TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRFML8244TR

IRFML8244TR

MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRFML8244TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 5.8A, 10V 2.35V @ 10µA - ±20V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MGSF1N03L

MGSF1N03L

MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
MGSF1N03L

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.6A (Ta) 4.5V, 10V 100mOhm @ 1.2A, 10V 2.4V @ 250µA - ±20V - - 420mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML9301TR

IRLML9301TR

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML9301TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.6A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm @ 3.6A, 10V 2.4V @ 10µA - ±20V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IRLML0030TR

IRLML0030TR

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML0030TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 27mOhm @ 5.2A, 10V 2.3V @ 25µA - ±20V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
NTR4503NT1G

NTR4503NT1G

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
NTR4503NT1G

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLML2803TR

IRLML2803TR

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

UMW

3,000 -
RFQ
IRLML2803TR

Datenblatt

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLML2244TR

IRLML2244TR

MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23

UMW

2,980 -
RFQ
IRLML2244TR

Datenblatt

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 54mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
PJA3476_R1_00001

PJA3476_R1_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

2,955 -
RFQ
PJA3476_R1_00001

Datenblatt

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 300mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 300mA, 10V 2.5V @ 250µA 1.8 nC @ 10 V ±20V 45 pF @ 25 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
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