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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FDV305N

    FDV305N

    MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23

    UMW

    		 1,928 -
    RFQ
    		FDV305N

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSM3J332R

    SSM3J332R

    MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F

    UMW

    		 1,785 -
    RFQ
    		SSM3J332R

    Datenblatt

         		* SOT-23-3 Flat Leads Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) 1.8V, 10V 42mOhm @ 5A, 10V 1.2V @ 1mA - ±12V - - 1W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    2SK4120LS

    2SK4120LS

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 1,700 -
    RFQ
    		2SK4120LS

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RQK0604IGDQA#H1

    RQK0604IGDQA#H1

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 1,646 -
    RFQ
    		RQK0604IGDQA#H1

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD4N06L

    RFD4N06L

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,424 -
    RFQ
    		RFD4N06L

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4A (Tc) 5V 600mOhm @ 1A, 5V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±10V - - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FDN337N

    FDN337N

    MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23

    UMW

    		 1,180 -
    RFQ
    		FDN337N

    Datenblatt

         		* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2300F

    2300F

    N20V, 6A,RD<[email protected],VTH0.5V~0.9

    Goford Semiconductor

    		 1,129 -
    RFQ
    		2300F

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 2.5V, 4.5V 27mOhm @ 2.3A, 4.5V 900mV @ 250µA 11.6 nC @ 4.5 V ±12V 363 pF @ 10 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDMA7628

    FDMA7628

    FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5

    Fairchild Semiconductor

    		 89,038 -
    RFQ
    		FDMA7628

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.5 nC @ 4.5 V ±8V 1680 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDFMA3N109

    FDFMA3N109

    MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

    onsemi

    		 6,668 -
    RFQ
    		FDFMA3N109

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.9A (Tc) 2.5V, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 3 nC @ 4.5 V ±12V 220 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    2SK1657-T1B-A

    2SK1657-T1B-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 70,805 -
    RFQ
    		2SK1657-T1B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMA7628

    FDMA7628

    FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5

    onsemi

    		 33,686 -
    RFQ
    		FDMA7628

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.5 nC @ 4.5 V ±8V 1680 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    IPSA70R950CEAKMA1

    IPSA70R950CEAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 2,653 -
    RFQ
    		IPSA70R950CEAKMA1

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 8.7A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 150µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 94W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-347
    UPA572T(0)-T1-A

    UPA572T(0)-T1-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 27,000 -
    RFQ
    		UPA572T(0)-T1-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA654TT-E1-A

    UPA654TT-E1-A

    MOSFET P-CH 12V 6WSOF

    Renesas Electronics Corporation

    		 21,000 -
    RFQ
    		UPA654TT-E1-A

    Datenblatt

         		- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V - - 88mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.7 nC @ 4 V - 250 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 6-WSOF
    2SJ211(0)-T1B-A

    2SJ211(0)-T1B-A

    P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 21,000 -
    RFQ
    		2SJ211(0)-T1B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDS6294

    FDS6294

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

    Fairchild Semiconductor

    		 18,921 -
    RFQ
    		FDS6294

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 11.3mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V 1205 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA651TT-E1-A

    UPA651TT-E1-A

    MOSFET P-CH 20V 5A 6WSOF

    Renesas Electronics Corporation

    		 15,000 -
    RFQ
    		UPA651TT-E1-A

    Datenblatt

         		- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) - 69mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.5 nC @ 4 V - 600 pF @ 10 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSOF
    FDMA7670

    FDMA7670

    MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET

    onsemi

    		 7,262 -
    RFQ
    		FDMA7670

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 15 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    UPA622TT-E1-A

    UPA622TT-E1-A

    MOSFET N-CH 30V 3A 6WSOF

    Renesas Electronics Corporation

    		 12,000 -
    RFQ
    		UPA622TT-E1-A

    Datenblatt

         		- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) - 82mOhm @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.8 nC @ 10 V - 155 pF @ 10 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSOF
    2SK1657-T2B-A

    2SK1657-T2B-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 12,000 -
    RFQ
    		2SK1657-T2B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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