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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NTP85N03

    NTP85N03

    MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB

    onsemi

    		 8,324 -
    RFQ
    		NTP85N03

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 85A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 40A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±20V 2150 pF @ 24 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    2SK583-MTK-AA

    2SK583-MTK-AA

    MOSFET N-CH

    onsemi

    		 102,000 -
    RFQ
    		2SK583-MTK-AA

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA1915TE(0)-T1-AT

    UPA1915TE(0)-T1-AT

    P-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 78,000 -
    RFQ
    		UPA1915TE(0)-T1-AT

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8301-TL-E

    ECH8301-TL-E

    P CHANNEL SILICON MOS FET

    onsemi

    		 62,692 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD80N02-1G

    NTD80N02-1G

    MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

    onsemi

    		 2,518 -
    RFQ
    		NTD80N02-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 80A, 10V 3V @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 2600 pF @ 20 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NDF03N60ZH

    NDF03N60ZH

    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP

    onsemi

    		 9,620 -
    RFQ
    		NDF03N60ZH

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.1A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 18 nC @ 10 V ±30V 372 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-2 Full Pack
    FQU1N60CTU

    FQU1N60CTU

    MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

    onsemi

    		 6,546 -
    RFQ
    		FQU1N60CTU

    Datenblatt

         		QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 6.2 nC @ 10 V ±30V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4806N-35G

    NTD4806N-35G

    MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

    onsemi

    		 9,869 -
    RFQ
    		NTD4806N-35G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 11.5V 6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2142 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTTFS4939NTAG

    NTTFS4939NTAG

    MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN

    onsemi

    		 3,709 -
    RFQ
    		NTTFS4939NTAG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.9A (Ta), 52A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1979 pF @ 15 V - 850mW (Ta), 29.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    MGSF3433VT1-ON

    MGSF3433VT1-ON

    PFET TSOP6S 20V 0.098R TR

    onsemi

    		 35,900 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    EC4307KF-TR

    EC4307KF-TR

    PCH 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 32,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8301-TL-E-SY

    ECH8301-TL-E-SY

    P CHANNEL SILICON MOS FET

    Sanyo

    		 30,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RFP8P10

    RFP8P10

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 29,973 -
    RFQ
    		RFP8P10

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Tc) 10V 400mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 1500 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SFR9120TM

    SFR9120TM

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 27,709 -
    RFQ
    		SFR9120TM

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.9A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CPH6314-TL-E

    CPH6314-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 19,798 -
    RFQ

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF7320

    SSF7320

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 15,838 -
    RFQ
    		SSF7320

    Datenblatt

         		- SOT-723 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 800mA (Ta) 1.5V, 4.5V 300mOhm @ 500mA, 4.5V 1.2V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±12V 75 pF @ 10 V - 450mW -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-723
    BSC091N03MSCGATMA1

    BSC091N03MSCGATMA1

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

    Infineon Technologies

    		 15,000 -
    RFQ
    		BSC091N03MSCGATMA1

    Datenblatt

         		SIPMOS® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    AM2340NE

    AM2340NE

    MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23

    Analog Power Inc.

    		 15,000 -
    RFQ
    		AM2340NE

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 5.2A (Ta) 4.5V, 10V 43mOhm @ 5.2A, 10V 1V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDFMA2P859T

    FDFMA2P859T

    MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

    Fairchild Semiconductor

    		 14,392 -
    RFQ
    		FDFMA2P859T

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-UDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 120mOhm @ 3A, 4.5V 1.3V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±8V 435 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
    BUK7225-55A,118

    BUK7225-55A,118

    N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

    Nexperia USA Inc.

    		 14,196 -
    RFQ
    		BUK7225-55A,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 43A (Tc) 10V 25mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1310 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
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