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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SSR1N60BTF

    SSR1N60BTF

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 76,000 -
    RFQ
    		SSR1N60BTF

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±30V 215 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTMS4873NFR2G

    NTMS4873NFR2G

    MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC

    onsemi

    		 6,749 -
    RFQ
    		NTMS4873NFR2G

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.1A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1900 pF @ 15 V - 870mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IPSA70R900P7SAKMA1

    IPSA70R900P7SAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 9,029 -
    RFQ
    		IPSA70R900P7SAKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 1.1A, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 nC @ 400 V ±16V 211 pF @ 400 V - 30.5W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    MMFT3055ET1

    MMFT3055ET1

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 64,066 -
    RFQ
    		MMFT3055ET1

    Datenblatt

         		* SOT-223-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.7A (Tc) - - - 1 nC @ 10 V - - - 800mW (Ta) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    2SJ580-TD-E

    2SJ580-TD-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 54,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDZ293P

    FDZ293P

    MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

    Fairchild Semiconductor

    		 48,430 -
    RFQ
    		FDZ293P

    Datenblatt

         		PowerTrench® 9-VFBGA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±12V 754 pF @ 10 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
    2SK1589-T2B-A

    2SK1589-T2B-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 38,005 -
    RFQ
    		2SK1589-T2B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSP321PL6327

    BSP321PL6327

    P-CHANNEL MOSFET

    Infineon Technologies

    		 37,989 -
    RFQ
    		BSP321PL6327

    Datenblatt

         		SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 980mA (Tc) 10V 900mOhm @ 980mA, 10V 4V @ 380µA 12 nC @ 10 V ±20V 319 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
    NTTFS4823NTWG

    NTTFS4823NTWG

    MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN

    onsemi

    		 6,896 -
    RFQ
    		NTTFS4823NTWG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.1A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 11.5V 10.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±20V 1013 pF @ 12 V - 660mW (Ta), 32.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IPU60R2K0C6AKMA1

    IPU60R2K0C6AKMA1

    MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 5,396 -
    RFQ
    		IPU60R2K0C6AKMA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 2Ohm @ 760mA, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 100 V - 22.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    EMH1303-TL-E

    EMH1303-TL-E

    MOSFET P-CH 12V 7A EMH8

    onsemi

    		 29,975 -
    RFQ
    		EMH1303-TL-E

    Datenblatt

         		- 8-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7A (Ta) - 23mOhm @ 6A, 4.5V - 12 nC @ 4.5 V - 1100 pF @ 6 V - - - - - Surface Mount 8-EMH
    2SK1589-T1B-A

    2SK1589-T1B-A

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 27,974 -
    RFQ
    		2SK1589-T1B-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTTFSC4823NTAG

    NTTFSC4823NTAG

    MOSFET 30V 50A 8WDFN

    onsemi

    		 4,291 -
    RFQ

    -

    		 - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    FQD4N25TM

    FQD4N25TM

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    		 22,500 -
    RFQ
    		FQD4N25TM

    Datenblatt

         		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 5.6 nC @ 10 V ±30V 200 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    MTD1P40ET4

    MTD1P40ET4

    TRANSISTOR

    onsemi

    		 22,348 -
    RFQ
    		MTD1P40ET4

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1A 10V 8Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 25 V - 1.75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK-3
    FDS6630A

    FDS6630A

    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    		 21,486 -
    RFQ
    		FDS6630A

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 38mOhm @ 6.5A, 10V 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V ±20V 460 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA652TT-E1-A

    UPA652TT-E1-A

    MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF

    Renesas Electronics Corporation

    		 21,000 -
    RFQ
    		UPA652TT-E1-A

    Datenblatt

         		- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) - 294mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.1 nC @ 4 V - 126 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 6-WSOF
    FQE10N20CTU

    FQE10N20CTU

    MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

    Fairchild Semiconductor

    		 17,700 -
    RFQ
    		FQE10N20CTU

    Datenblatt

         		QFET® TO-225AA, TO-126-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4A (Tc) 10V 360mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 12.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-126-3
    2SK3107-T1-AT

    2SK3107-T1-AT

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 16,455 -
    RFQ
    		2SK3107-T1-AT

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD95N02RT4

    NTD95N02RT4

    MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK

    onsemi

    		 3,267 -
    RFQ
    		NTD95N02RT4

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
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