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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    NTD4857N-1G

    NTD4857N-1G

    MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK

    onsemi

    		 5,252 -
    RFQ
    		NTD4857N-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±20V 1960 pF @ 12 V - 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    SI4431DY

    SI4431DY

    P-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 7,099 -
    RFQ
    		SI4431DY

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.3A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 930 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SSF3324

    SSF3324

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,990 -
    RFQ
    		SSF3324

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 34mOhm @ 2A, 4.5V 1.4V @ 250µA 4.8 nC @ 4.5 V ±12V 538 pF @ 15 V - 1.15W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AM1320N

    AM1320N

    MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3

    Analog Power Inc.

    		 5,870 -
    RFQ
    		AM1320N

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 58mOhm @ 1.6A, 4.5V 400mV @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±8V 433 pF @ 15 V - 340mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-3
    GSFKW0202

    GSFKW0202

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 5,497 -
    RFQ
    		GSFKW0202

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 2.9 nC @ 10 V ±10V 280 pF @ 10 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    BUK6213-30A,118

    BUK6213-30A,118

    TRANSISTOR >30MHZ

    NXP USA Inc.

    		 4,990 -
    RFQ
    		BUK6213-30A,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 55A (Tc) 10V 13mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 44 nC @ 10 V ±16V 1986 pF @ 25 V - 102W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    MTDF1N03HDR2

    MTDF1N03HDR2

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 4,639 -
    RFQ
    		MTDF1N03HDR2

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA75307D3ST

    HUFA75307D3ST

    MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    		 4,459 -
    RFQ
    		HUFA75307D3ST

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 15A (Tc) 10V 90mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 20 V ±20V 250 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    HUFA75309D3S

    HUFA75309D3S

    MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    		 4,157 -
    RFQ
    		HUFA75309D3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 70mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 20 V ±20V 350 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    GSF3404B

    GSF3404B

    MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO

    Good-Ark Semiconductor

    		 3,960 -
    RFQ
    		GSF3404B

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±20V 255 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AM2358NE

    AM2358NE

    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT-23

    Analog Power Inc.

    		 3,475 -
    RFQ
    		AM2358NE

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.8A (Ta) 4.5V, 10V 92mOhm @ 2.5A, 10V 1V @ 250µA 4.2 nC @ 4.5 V ±20V 311 pF @ 15 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    NTD20N06-001

    NTD20N06-001

    MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

    onsemi

    		 4,470 -
    RFQ
    		NTD20N06-001

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 10V 46mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 25 V - 1.88W (Ta), 60W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4302-001

    NTD4302-001

    MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

    onsemi

    		 3,226 -
    RFQ
    		NTD4302-001

    Datenblatt

         		- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6307-TL-E

    MCH6307-TL-E

    TRANSISTOR

    onsemi

    		 3,000 -
    RFQ
    		MCH6307-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G1002

    G1002

    MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23

    Goford Semiconductor

    		 2,980 -
    RFQ
    		G1002

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Tc) 4.5V, 10V 250mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 535 pF @ 10 V - 1.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    NVTFS5811NLWFTAG

    NVTFS5811NLWFTAG

    MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN

    onsemi

    		 4,594 -
    RFQ
    		NVTFS5811NLWFTAG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1570 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 21W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    G3416

    G3416

    MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23

    Goford Semiconductor

    		 2,920 -
    RFQ
    		G3416

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Tc) 2.5V, 4.5V 20mOhm @ 3A, 4.5V 1.3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±12V 748 pF @ 10 V - 1.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    BUK6228-55C,118

    BUK6228-55C,118

    PFET, 31A I(D), 55V, 0.044OHM, 1

    NXP USA Inc.

    		 2,867 -
    RFQ
    		BUK6228-55C,118

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 29mOhm @ 10A, 10V 2.8V @ 1mA 20.2 nC @ 10 V ±16V 1340 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    2SK3072-TB-E

    2SK3072-TB-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 2,219 -
    RFQ
    		2SK3072-TB-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK7880-55,135

    BUK7880-55,135

    MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223

    NXP USA Inc.

    		 7,561 -
    RFQ
    		BUK7880-55,135

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.5A (Ta) 10V 80mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA - ±16V 500 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SC-73
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