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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    HUF75337P3

    HUF75337P3

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

    Harris Corporation

    		 2,600 -
    RFQ
    		HUF75337P3

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) - 14mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 20 V ±20V 1775 pF @ 25 V - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RFP2NO8L

    RFP2NO8L

    2A, 80V, 1.05OHM, N CHANNEL MOSF

    Harris Corporation

    		 1,609 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPS050N03LG

    IPS050N03LG

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,500 -
    RFQ
    		IPS050N03LG

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 15 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    HUF76013D3S

    HUF76013D3S

    MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    		 1,212 -
    RFQ
    		HUF76013D3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 5V, 10V 22mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 624 pF @ 20 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    G12P10TE

    G12P10TE

    MOSFET P-CH ESD 100V 12A 44.6W T

    Goford Semiconductor

    		 3,000 -
    RFQ
    		G12P10TE

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 12A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    630A

    630A

    MOSFET N-CH 200V 11A TO-252

    Goford Semiconductor

    		 60,000 -
    RFQ
    		630A

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 11A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    2SJ670-TD-E

    2SJ670-TD-E

    P-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 974,000 -
    RFQ
    		2SJ670-TD-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH3431-TL-E

    CPH3431-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 564,000 -
    RFQ
    		CPH3431-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTNS3A91PZT5G

    NTNS3A91PZT5G

    MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA

    onsemi

    		 5,592 -
    RFQ
    		NTNS3A91PZT5G

    Datenblatt

         		- 3-XFLGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 223mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±8V 41 pF @ 15 V - 121mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
    SFR9214TM

    SFR9214TM

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 412,282 -
    RFQ
    		SFR9214TM

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.53A (Tc) 10V 4Ohm @ 770mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 295 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CPH3413-TL-E

    CPH3413-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    		 357,000 -
    RFQ
    		CPH3413-TL-E

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD78N03T4G

    NTD78N03T4G

    MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK

    onsemi

    		 9,429 -
    RFQ
    		NTD78N03T4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 78A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 2250 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR210BTF

    IRFR210BTF

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 218,000 -
    RFQ
    		IRFR210BTF

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.35A, 10V 4V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V ±30V 225 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTTFS4823NTAG

    NTTFS4823NTAG

    MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN

    onsemi

    		 4,372 -
    RFQ
    		NTTFS4823NTAG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.1A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 11.5V 10.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±20V 1013 pF @ 12 V - 660mW (Ta), 32.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NTD78N03-35G

    NTD78N03-35G

    MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK

    onsemi

    		 7,573 -
    RFQ
    		NTD78N03-35G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 78A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 2250 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SK3230C-T1-A

    2SK3230C-T1-A

    N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 198,000 -
    RFQ
    		2SK3230C-T1-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3230B-T1-A

    2SK3230B-T1-A

    N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 126,000 -
    RFQ
    		2SK3230B-T1-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3230-T1-A

    2SK3230-T1-A

    SMALL SIGNAL FET

    Renesas Electronics Corporation

    		 120,000 -
    RFQ
    		2SK3230-T1-A

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK1589-T1B-AT

    2SK1589-T1B-AT

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 79,211 -
    RFQ
    		2SK1589-T1B-AT

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSR1N60BTF

    SSR1N60BTF

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 76,000 -
    RFQ
    		SSR1N60BTF

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±30V 215 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
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