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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FCH47N60F-F133

    FCH47N60F-F133

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3

    onsemi

    		 880 -
    RFQ
    		FCH47N60F-F133 Datenblatt SuperFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTMFS011N15MC

    NTMFS011N15MC

    MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN

    onsemi

    		 2,604 -
    RFQ
    		NTMFS011N15MC Datenblatt - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 10.7A (Ta), 78A (Tc) 8V, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V 4.5V @ 194µA 46 nC @ 10 V ±20V 3592 pF @ 75 V - 2.7W (Ta), 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    SCT4045DRHRC15

    SCT4045DRHRC15

    750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 492 -
    RFQ
    		SCT4045DRHRC15 Datenblatt - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK220N20X3

    IXFK220N20X3

    MOSFET N-CH 200V 220A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 266 -
    RFQ
    		IXFK220N20X3 Datenblatt HiPerFET™, Ultra X3 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 220A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 4mA 204 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    SCT3105KLHRC11

    SCT3105KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 241 -
    RFQ
    		SCT3105KLHRC11 Datenblatt - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tc) 18V 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    HUF75852G3

    HUF75852G3

    MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

    onsemi

    		 15 -
    RFQ
    		HUF75852G3 Datenblatt UltraFET™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 75A (Tc) 10V 16mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 480 nC @ 20 V ±20V 7690 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT4062KRHRC15

    SCT4062KRHRC15

    1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 401 -
    RFQ
    		SCT4062KRHRC15 Datenblatt - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCT3080AW7TL

    SCT3080AW7TL

    SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 905 -
    RFQ
    		SCT3080AW7TL Datenblatt - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) - 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    NTBG060N090SC1

    NTBG060N090SC1

    SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7

    onsemi

    		 786 -
    RFQ
    		NTBG060N090SC1 Datenblatt - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V, -10V 1800 pF @ 450 V - 3.6W (Ta), 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    TW083N65C,S1F

    TW083N65C,S1F

    G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 142 -
    RFQ
    		TW083N65C,S1F Datenblatt - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 18V 113mOhm @ 15A, 18V 5V @ 600µA 28 nC @ 18 V +25V, -10V 873 pF @ 400 V - 111W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247
    IXFT100N30X3HV

    IXFT100N30X3HV

    MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV

    Littelfuse Inc.

    		 550 -
    RFQ
    		IXFT100N30X3HV Datenblatt HiPerFET™, Ultra X3 TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 100A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7660 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    S2M0080120D

    S2M0080120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 211 -
    RFQ
    		S2M0080120D Datenblatt - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTHL033N65S3HF

    NTHL033N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3

    onsemi

    		 402 -
    RFQ
    		NTHL033N65S3HF Datenblatt FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 10V 33mOhm @ 35A, 10V 5V @ 2.5mA 188 nC @ 10 V ±30V 6720 pF @ 400 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH54N65X3

    IXFH54N65X3

    MOSFET 54A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFH54N65X3 Datenblatt HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 59mOhm @ 27A, 10V 5.2V @ 4mA 49 nC @ 10 V ±20V 3360 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFX180N25T

    IXFX180N25T

    MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 509 -
    RFQ
    		IXFX180N25T Datenblatt HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 180A (Tc) 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 345 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 1390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SIHS90N65E-GE3

    SIHS90N65E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,

    Vishay Siliconix

    		 233 -
    RFQ
    		SIHS90N65E-GE3 Datenblatt E TO-274AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 87A (Tc) 10V 29mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 591 nC @ 10 V ±30V 11826 pF @ 100 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    S2M0080120K

    S2M0080120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 260 -
    RFQ
    		S2M0080120K Datenblatt - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IMZA65R030M1HXKSA1

    IMZA65R030M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

    Infineon Technologies

    		 144 -
    RFQ
    		IMZA65R030M1HXKSA1 Datenblatt CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 53A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 48 nC @ 18 V +20V, -2V 1643 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    SCT2280KEHRC11

    SCT2280KEHRC11

    1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 410 -
    RFQ
    		SCT2280KEHRC11 Datenblatt - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 400 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    FCH041N65EF-F155

    FCH041N65EF-F155

    MOSFET N-CH 650V 76A TO247

    onsemi

    		 358 -
    RFQ
    		FCH041N65EF-F155 Datenblatt FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 7.6mA 298 nC @ 10 V ±20V 12560 pF @ 100 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
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