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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SIHK055N60E-T1-GE3

    SIHK055N60E-T1-GE3

    E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

    Vishay Siliconix

    		 1,967 -
    RFQ
    		SIHK055N60E-T1-GE3 Datenblatt E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 56mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±30V 3504 pF @ 100 V - 236W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    STP34NM60ND

    STP34NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220

    STMicroelectronics

    		 784 -
    RFQ
    		STP34NM60ND Datenblatt FDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4 nC @ 10 V ±25V 2785 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTH80N65X2

    IXTH80N65X2

    MOSFET N-CH 650V 80A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 301 -
    RFQ
    		IXTH80N65X2 Datenblatt Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 4mA 144 nC @ 10 V ±30V 7753 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXFQ60N50P3

    IXFQ60N50P3

    MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 316 -
    RFQ
    		IXFQ60N50P3 Datenblatt HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 60A (Tc) 10V 100mOhm @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96 nC @ 10 V ±30V 6250 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXFA20N85XHV

    IXFA20N85XHV

    MOSFET N-CH 850V 20A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 200 -
    RFQ
    		IXFA20N85XHV Datenblatt HiPerFET™, Ultra X TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 63 nC @ 10 V ±30V 1660 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    SIHG47N60AEF-GE3

    SIHG47N60AEF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 216 -
    RFQ
    		SIHG47N60AEF-GE3 Datenblatt EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±30V 3576 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    STW56N65M2

    STW56N65M2

    MOSFET N-CH 650V 49A TO247

    STMicroelectronics

    		 114 -
    RFQ
    		STW56N65M2 Datenblatt MDmesh™ M2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V 3900 pF @ 100 V - 358W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTP055N65S3H

    NTP055N65S3H

    MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3

    onsemi

    		 730 -
    RFQ
    		NTP055N65S3H Datenblatt SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 55mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 4.8mA 96 nC @ 10 V ±30V 4305 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPDD60R050G7XTMA1

    IPDD60R050G7XTMA1

    MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

    Infineon Technologies

    		 3,215 -
    RFQ
    		IPDD60R050G7XTMA1 Datenblatt CoolMOS™ G7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 50mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2670 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
    NVHL082N65S3F

    NVHL082N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3

    onsemi

    		 450 -
    RFQ
    		NVHL082N65S3F Datenblatt SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXTP60N20X4

    IXTP60N20X4

    MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXTP60N20X4 Datenblatt - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220 (IXTP)
    IXFH160N15T2

    IXFH160N15T2

    MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 298 -
    RFQ
    		IXFH160N15T2 Datenblatt HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 160A (Tc) 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 1mA 253 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 880W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    FCH072N60

    FCH072N60

    MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

    onsemi

    		 841 -
    RFQ
    		FCH072N60 Datenblatt SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 52A (Tc) 10V 72mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 380 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTH4LN067N65S3H

    NTH4LN067N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    		 218 -
    RFQ
    		NTH4LN067N65S3H Datenblatt SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 67mOhm @ 20A, 10V 4V @ 3.9mA 80 nC @ 10 V ±30V 3750 pF @ 400 V - 266W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFR36N60P

    IXFR36N60P

    MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 268 -
    RFQ
    		IXFR36N60P Datenblatt HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 200mOhm @ 18A, 10V 5V @ 4mA 102 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    SIHG039N60EF-GE3

    SIHG039N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 435 -
    RFQ
    		SIHG039N60EF-GE3 Datenblatt EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V 40mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±30V 4323 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NVBG089N65S3F

    NVBG089N65S3F

    SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

    onsemi

    		 800 -
    RFQ
    		NVBG089N65S3F Datenblatt - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 37A (Tc) 10V 89mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 970µA 74 nC @ 10 V ±30V 3598 pF @ 400 V - 291W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    NVHL080N120SC1A

    NVHL080N120SC1A

    SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

    onsemi

    		 890 -
    RFQ
    		NVHL080N120SC1A Datenblatt - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25, -15V 1670 pF @ 800 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    R6035KNZ4C13

    R6035KNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 35A TO247

    Rohm Semiconductor

    		 600 -
    RFQ
    		R6035KNZ4C13 Datenblatt - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IMZA65R057M1HXKSA1

    IMZA65R057M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

    Infineon Technologies

    		 150 -
    RFQ
    		IMZA65R057M1HXKSA1 Datenblatt CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 35A (Tc) 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +20V, -2V 930 pF @ 400 V - 133W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
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