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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    AUIRFR3806

    AUIRFR3806

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

    Infineon Technologies

    		 8,488 -
    RFQ
    		AUIRFR3806

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFR4615

    AUIRFR4615

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

    Infineon Technologies

    		 8,119 -
    RFQ
    		AUIRFR4615

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFR4620

    AUIRFR4620

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

    Infineon Technologies

    		 5,131 -
    RFQ
    		AUIRFR4620

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFR9024N

    AUIRFR9024N

    MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

    Infineon Technologies

    		 7,300 -
    RFQ
    		AUIRFR9024N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 11A (Tc) 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFS3004

    AUIRFS3004

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3

    Infineon Technologies

    		 3,108 -
    RFQ
    		AUIRFS3004

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-3 (TO-263)
    AUIRFS3004-7P

    AUIRFS3004-7P

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

    Infineon Technologies

    		 7,641 -
    RFQ
    		AUIRFS3004-7P

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9130 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    AUIRFS3107-7P

    AUIRFS3107-7P

    MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 2,880 -
    RFQ
    		AUIRFS3107-7P

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 240A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRFS3206

    AUIRFS3206

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 5,479 -
    RFQ
    		AUIRFS3206

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS3207Z

    AUIRFS3207Z

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 8,754 -
    RFQ
    		AUIRFS3207Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6920 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS4010

    AUIRFS4010

    MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 9,335 -
    RFQ
    		AUIRFS4010

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFS4010-7P

    AUIRFS4010-7P

    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 2,414 -
    RFQ
    		AUIRFS4010-7P

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 10V 4mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 9830 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRFS4310Z

    AUIRFS4310Z

    MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 6,067 -
    RFQ
    		AUIRFS4310Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS4410Z

    AUIRFS4410Z

    MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 5,090 -
    RFQ
    		AUIRFS4410Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 97A (Tc) 10V 9mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4820 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFU1010Z

    AUIRFU1010Z

    MOSFET N-CH 55V 91A TO262

    Infineon Technologies

    		 5,252 -
    RFQ
    		AUIRFU1010Z

    Datenblatt

         		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete - - - 42A (Tc) - - - - - - - - - - - Through Hole TO-262
    AUIRFZ24NS

    AUIRFZ24NS

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    		 8,988 -
    RFQ
    		AUIRFZ24NS

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFZ34N

    AUIRFZ34N

    MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 3,184 -
    RFQ
    		AUIRFZ34N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRFZ44N

    AUIRFZ44N

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 2,958 -
    RFQ
    		AUIRFZ44N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRFZ44NS

    AUIRFZ44NS

    MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,237 -
    RFQ
    		AUIRFZ44NS

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFZ46NL

    AUIRFZ46NL

    MOSFET N-CH 55V 39A TO262

    Infineon Technologies

    		 5,311 -
    RFQ
    		AUIRFZ46NL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 39A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1696 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRL2203N

    AUIRL2203N

    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 6,847 -
    RFQ
    		AUIRL2203N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 1V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
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