TomatoElecBestellverfolgung TomatoElecMein Konto
    Beliebte Suche BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7 AP2210K-ADJTRG1 AP3012KTR-E1 DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA
    TomatoElec

    Verfügbar 24/7 unter

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Alle Kategorien
    Startseite > Produkte  > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren > FETs, MOSFETs > FETs, MOSFETs

    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

    Alles zurücksetzen
    Alle anwenden
    Ergebnis

    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    AUIRF1405

    AUIRF1405

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 2,536 -
    RFQ
    		AUIRF1405

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2805

    AUIRF2805

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 3,343 -
    RFQ
    		AUIRF2805

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2805S

    AUIRF2805S

    MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 7,107 -
    RFQ
    		AUIRF2805S

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 135A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF2807

    AUIRF2807

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 7,504 -
    RFQ
    		AUIRF2807

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2903Z

    AUIRF2903Z

    MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 6,201 -
    RFQ
    		AUIRF2903Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF2903ZL

    AUIRF2903ZL

    MOSFET N-CH 30V 160A TO262

    Infineon Technologies

    		 6,496 -
    RFQ
    		AUIRF2903ZL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRF2903ZS

    AUIRF2903ZS

    MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,874 -
    RFQ
    		AUIRF2903ZS

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF3004WL

    AUIRF3004WL

    MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 5,882 -
    RFQ
    		AUIRF3004WL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-262-3 Wide Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.4mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9450 pF @ 32 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262-3 Wide
    AUIRF3007

    AUIRF3007

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 7,790 -
    RFQ
    		AUIRF3007

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF3315S

    AUIRF3315S

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,303 -
    RFQ
    		AUIRF3315S

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF3415

    AUIRF3415

    MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 7,149 -
    RFQ
    		AUIRF3415

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF3504

    AUIRF3504

    MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 7,833 -
    RFQ
    		AUIRF3504

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 87A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 52A, 10V 4V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF3808S

    AUIRF3808S

    MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 7,718 -
    RFQ
    		AUIRF3808S

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF4905L

    AUIRF4905L

    MOSFET P-CH 55V 42A TO262

    Infineon Technologies

    		 5,091 -
    RFQ
    		AUIRF4905L

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-262 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRF7478Q

    AUIRF7478Q

    MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    		 8,305 -
    RFQ
    		AUIRF7478Q

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 1740 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRF9540N

    AUIRF9540N

    MOSFET P-CH 100V 23A TO220

    Infineon Technologies

    		 8,250 -
    RFQ
    		AUIRF9540N

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    AUIRF9Z34N

    AUIRF9Z34N

    MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 6,335 -
    RFQ
    		AUIRF9Z34N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    AUIRFL014N

    AUIRFL014N

    MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

    Infineon Technologies

    		 4,927 -
    RFQ
    		AUIRFL014N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 1.5A (Ta) 10V 160mOhm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRFL024N

    AUIRFL024N

    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

    Infineon Technologies

    		 3,628 -
    RFQ
    		AUIRFL024N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRFP064N

    AUIRFP064N

    MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC

    Infineon Technologies

    		 9,360 -
    RFQ
    		AUIRFP064N

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 59A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    Total 36322 Record«Prev1... 16581659166016611662166316641665...1817Next»
    TomatoElec

    Suche

     TomatoElec

    Produkte

     TomatoElec

    Telefon

     TomatoElec

    Benutzer
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135