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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IPP90N06S4L04AKSA1

    IPP90N06S4L04AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 7,632 -
    RFQ
    		IPP90N06S4L04AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V 13000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPS110N12N3GBKMA1

    IPS110N12N3GBKMA1

    MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 3,405 -
    RFQ
    		IPS110N12N3GBKMA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 75A (Tc) 10V 11mOhm @ 75A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4310 pF @ 60 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    IPB031NE7N3GATMA1

    IPB031NE7N3GATMA1

    MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    		 8,131 -
    RFQ
    		IPB031NE7N3GATMA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8130 pF @ 37.5 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    SI7860ADP-T1-E3

    SI7860ADP-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 4,437 -
    RFQ

    -

    		 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    2N7002E

    2N7002E

    MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

    Vishay Siliconix

    		 3,795 -
    RFQ
    		2N7002E

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA 4.5V, 10V 5Ohm @ 300mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 21 pF @ 5 V - 350mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    STP5N95K3

    STP5N95K3

    MOSFET N-CH 950V 4A TO220

    STMicroelectronics

    		 3,664 -
    RFQ
    		STP5N95K3

    Datenblatt

         		SuperMESH3™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 4A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 19 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STW13NM60N

    STW13NM60N

    MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

    STMicroelectronics

    		 4,935 -
    RFQ
    		STW13NM60N

    Datenblatt

         		MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 790 pF @ 50 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    EPC2001

    EPC2001

    GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE

    EPC

    		 3,682 -
    RFQ
    		EPC2001

    Datenblatt

         		eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 25A (Ta) 5V 7mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 5mA 10 nC @ 5 V +6V, -5V 950 pF @ 50 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2010

    EPC2010

    GANFET N-CH 200V 12A DIE

    EPC

    		 9,605 -
    RFQ
    		EPC2010

    Datenblatt

         		eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V +6V, -4V 540 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2012

    EPC2012

    GANFET N-CH 200V 3A DIE

    EPC

    		 2,980 -
    RFQ
    		EPC2012

    Datenblatt

         		eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 3A (Ta) 5V 100mOhm @ 3A, 5V 2.5V @ 1mA 1.8 nC @ 5 V +6V, -5V 145 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2014

    EPC2014

    GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

    EPC

    		 8,087 -
    RFQ
    		EPC2014

    Datenblatt

         		eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 10A (Ta) 5V 16mOhm @ 5A, 5V 2.5V @ 2mA 2.8 nC @ 5 V +6V, -5V 325 pF @ 20 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2015

    EPC2015

    GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE

    EPC

    		 5,496 -
    RFQ
    		EPC2015

    Datenblatt

         		eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 33A (Ta) 5V 4mOhm @ 33A, 5V 2.5V @ 9mA 11.6 nC @ 5 V +6V, -5V 1200 pF @ 20 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    AOT3N50

    AOT3N50

    MOSFET N-CH 500V 3A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 9,218 -
    RFQ
    		AOT3N50

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 331 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT2N60

    AOT2N60

    MOSFET N-CH 600V 2A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 3,604 -
    RFQ
    		AOT2N60

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 250µA 11.4 nC @ 10 V ±30V 325 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT3N60

    AOT3N60

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 4,364 -
    RFQ
    		AOT3N60

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.5A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.25A, 10V 4.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±30V 370 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT5N60

    AOT5N60

    MOSFET N-CH 600V 5A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 9,009 -
    RFQ
    		AOT5N60

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 132W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT8N60

    AOT8N60

    MOSFET N-CH 600V 8A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 5,954 -
    RFQ
    		AOT8N60

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT12N60

    AOT12N60

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 8,744 -
    RFQ
    		AOT12N60

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 2100 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AO4452

    AO4452

    MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 7,857 -
    RFQ
    		AO4452

    Datenblatt

         		SDMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Ta) 7V, 10V 25mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 2200 pF @ 50 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AOT416

    AOT416

    MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 3,054 -
    RFQ
    		AOT416

    Datenblatt

         		SDMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.7A (Ta), 42A (Tc) 7V, 10V 37mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±25V 1450 pF @ 50 V - 1.92W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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