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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IXFK52N30Q

    IXFK52N30Q

    MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA

    IXYS

    		 4,737 -
    RFQ
    		IXFK52N30Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFK60N25Q

    IXFK60N25Q

    MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA

    IXYS

    		 2,620 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 60A (Tc) 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFK80N20

    IXFK80N20

    MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA

    IXYS

    		 4,891 -
    RFQ
    		IXFK80N20

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 80A (Tc) 10V 30mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 280 nC @ 10 V ±20V 5900 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFK80N20Q

    IXFK80N20Q

    MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA

    IXYS

    		 6,593 -
    RFQ
    		IXFK80N20Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 80A (Tc) 10V 28mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFN100N20

    IXFN100N20

    MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

    IXYS

    		 8,293 -
    RFQ
    		IXFN100N20

    Datenblatt

         		HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 100A (Tc) 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFN180N10

    IXFN180N10

    MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

    IXYS

    		 3,686 -
    RFQ
    		IXFN180N10

    Datenblatt

         		HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 8mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFR10N100Q

    IXFR10N100Q

    MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247

    IXYS

    		 7,553 -
    RFQ
    		IXFR10N100Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 9A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR12N100Q

    IXFR12N100Q

    MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

    IXYS

    		 8,707 -
    RFQ
    		IXFR12N100Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR15N100P

    IXFR15N100P

    MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247

    IXYS

    		 2,876 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V - - - - - - - - - - - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR180N07

    IXFR180N07

    MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247

    IXYS

    		 2,259 -
    RFQ
    		IXFR180N07

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70 V 180A (Tc) 10V 6mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 420 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR30N50Q

    IXFR30N50Q

    MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247

    IXYS

    		 8,666 -
    RFQ
    		IXFR30N50Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 15A, 10V 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 3950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR80N10Q

    IXFR80N10Q

    MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

    IXYS

    		 2,555 -
    RFQ
    		IXFR80N10Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 76A (Tc) 10V 15mOhm @ 76A, 10V - 180 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR80N15Q

    IXFR80N15Q

    MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247

    IXYS

    		 8,779 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 75A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR80N20Q

    IXFR80N20Q

    MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

    IXYS

    		 2,228 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 71A (Tc) 10V 28mOhm @ 80A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFR90N20

    IXFR90N20

    MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247

    IXYS

    		 6,805 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) - - - - - - - - - - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXFT14N100

    IXFT14N100

    MOSFET N-CH 1000V 14A TO268

    IXYS

    		 9,340 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 14A (Tc) 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFT30N50Q

    IXFT30N50Q

    MOSFET N-CH 500V 30A TO268

    IXYS

    		 8,288 -
    RFQ
    		IXFT30N50Q

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 4925 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFT32N50

    IXFT32N50

    MOSFET N-CH 500V 32A TO268

    IXYS

    		 3,418 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) 10V 150mOhm @ 15A, 10V 4V @ 4mA 300 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFT50N20

    IXFT50N20

    MOSFET N-CH 200V 50A TO268

    IXYS

    		 6,226 -
    RFQ
    		IXFT50N20

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 50A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 4V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFT58N20

    IXFT58N20

    MOSFET N-CH 200V 58A TO268

    IXYS

    		 2,876 -
    RFQ
    		IXFT58N20

    Datenblatt

         		HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V 4V @ 4mA 220 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
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