Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
JANTX1N5711UR-1

JANTX1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Microchip Technology

207 -
RFQ
JANTX1N5711UR-1

Datenblatt

- DO-213AA Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 100 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
DSEI120-06A

DSEI120-06A

DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD

IXYS

653 -
RFQ
DSEI120-06A

Datenblatt

FRED TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 77A 1.3 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 3 mA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
123SPC100A

123SPC100A

DIODE SCHOTTKY 100V 120A SPD-3A

SMC Diode Solutions

1,569 -
RFQ
123SPC100A

Datenblatt

- SPD-3A Bulk Active Schottky 100 V 120A 870 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 100 V 3000pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-3A -55°C ~ 175°C
C4D10120E-TR

C4D10120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,806 -
RFQ
C4D10120E-TR

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
DSDI60-18A

DSDI60-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 63A TO247AD

IXYS

2,767 -
RFQ
DSDI60-18A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 63A 4.1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 mA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
IDWD30G120C5XKSA1

IDWD30G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 87A TO247-2

Infineon Technologies

652 -
RFQ
IDWD30G120C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 87A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 248 µA @ 1200 V 1980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1725K2

UJ3D1725K2

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

Qorvo

4,349 -
RFQ
UJ3D1725K2

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 25A 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 360 µA @ 1700 V 1500pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IDWD40G120C5XKSA1

IDWD40G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247

Infineon Technologies

132 -
RFQ
IDWD40G120C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 110A 1.65 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 332 µA @ 1200 V 2592pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH5065B-F085

FFSH5065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

onsemi

331 -
RFQ
FFSH5065B-F085

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 2030pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
NDSH25170A

NDSH25170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

onsemi

849 -
RFQ
NDSH25170A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 25A 1.75 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 2025pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GD25MPS17H

GD25MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 56A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,285 -
RFQ
GD25MPS17H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 56A 1.8 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1083pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C6D10170H

C6D10170H

10A 1700V SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

395 -
RFQ
C6D10170H

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 40A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 1700 V 1227pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

124 -
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

Datenblatt

- DO-213AB, MELF (Glass) Bag Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
UJ3D1250K2

UJ3D1250K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

Qorvo

14,813 -
RFQ
UJ3D1250K2

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GC05MPS33J

GC05MPS33J

DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

1,114 -
RFQ
GC05MPS33J

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 5A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Surface Mount TO-263-7 175°C
C4D40120H

C4D40120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 128A TO247

Wolfspeed, Inc.

764 -
RFQ
C4D40120H

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 128A 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 300 µA @ 1200 V 2809pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
DMA150E1600NA

DMA150E1600NA

DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B

IXYS

187 -
RFQ
DMA150E1600NA

Datenblatt

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Standard 1600 V 150A 1.15 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1600 V 60pF @ 400V, 1MHz - - Chassis Mount SOT-227B -40°C ~ 150°C
1N6391

1N6391

DIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA

Microchip Technology

74 -
RFQ
1N6391

Datenblatt

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 45 V 25A 500 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -55°C ~ 175°C
JANTX1N5822US

JANTX1N5822US

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

169 -
RFQ
JANTX1N5822US

Datenblatt

- SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
S300Y

S300Y

DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO9

GeneSiC Semiconductor

54 -
RFQ
S300Y

Datenblatt

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 300A 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-9 -60°C ~ 180°C
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