Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
C4D10120E

C4D10120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

5,722 -
RFQ
C4D10120E

Datenblatt

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

Infineon Technologies

1,342 -
RFQ
IDH20G65C6XKSA1

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120A

C4D08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

711 -
RFQ
C4D08120A

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DH40-18A

DH40-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD

IXYS

406 -
RFQ
DH40-18A

Datenblatt

SONIC-FRD™ TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 40A 2.7 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 100 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

175 -
RFQ
JAN1N5819UR-1

Datenblatt

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
1N5809US

1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

629 -
RFQ
1N5809US

Datenblatt

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

Infineon Technologies

864 -
RFQ
IDH20G65C5XKSA2

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

116 -
RFQ
JANTX1N5811US

Datenblatt

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
GD10MPS17H

GD10MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

780 -
RFQ
GD10MPS17H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 26A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 721pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5819UR-1

1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

376 -
RFQ
1N5819UR-1

Datenblatt

- DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 150°C
IDW20G65C5XKSA1

IDW20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

270 -
RFQ
IDW20G65C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
1N5554

1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Microchip Technology

218 -
RFQ
1N5554

Datenblatt

- B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D10120A

C4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

469 -
RFQ
C4D10120A

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G120C5XKSA1

IDH20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

Infineon Technologies

974 -
RFQ
IDH20G120C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDK20G120C5XTMA1

IDK20G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1

Infineon Technologies

1,079 -
RFQ
IDK20G120C5XTMA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G-TR

STPSC20H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

4,630 -
RFQ
STPSC20H12G-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5711UR-1

1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

223 -
RFQ
1N5711UR-1

Datenblatt

- DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GD60MPS06H

GD60MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

849 -
RFQ
GD60MPS06H

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 82A 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 1463pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12GY-TR

STPSC20H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,492 -
RFQ
STPSC20H12GY-TR

Datenblatt

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA

GeneSiC Semiconductor

6,598 -
RFQ
GAP3SLT33-214

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 300mA 2.2 V @ 300 mA - 0 ns 10 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA -55°C ~ 175°C
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