Einzeldioden

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht

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Einzelne Dioden

TomatoElec liefert einzelne Dioden für Industrie, Automotive, Kommunikation, Stromversorgung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne Diodenprodukte für Gleichrichtungs-, Schalt-, Signalsteuerungs- und Schutzschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Dioden und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner Dioden, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Technologie Spannung - Gleichstromsperrspannung (Vr) (Max) Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Spannung - Vorwärtsspannung (Vf) (Max) @ If Geschwindigkeit Sperrerholungszeit (trr) Strom - Sperrleck @ Vr Kapazität @ Vr, F Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket Betriebstemperatur - Sperrschicht
APT60D60BG

APT60D60BG

DIODE GP 600V 60A TO247

Microchip Technology

1,014 -
RFQ
APT60D60BG

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.8 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12-M3

VS-20ETF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,985 -
RFQ
VS-20ETF12-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
C3D06060A

C3D06060A

DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

3,162 -
RFQ
C3D06060A

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 19A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D06060F

C3D06060F

DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

1,323 -
RFQ
C3D06060F

Datenblatt

Z-Rec® TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 11.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
GD10MPS12E

GD10MPS12E

DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

9,841 -
RFQ
GD10MPS12E

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12S-M3

VS-20ETF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,217 -
RFQ
VS-20ETF12S-M3

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDM05G120C5XTMA1

IDM05G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2

Infineon Technologies

1,779 -
RFQ
IDM05G120C5XTMA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,847 -
RFQ
VS-8EWF12STR-M3

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF06STR-M3

VS-8EWF06STR-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,511 -
RFQ
VS-8EWF06STR-M3

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF12S-M3

VS-8EWF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,812 -
RFQ
VS-8EWF12S-M3

Datenblatt

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
APT60D120BG

APT60D120BG

DIODE GP 1.2KV 60A TO247

Microchip Technology

955 -
RFQ
APT60D120BG

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT60S20BG

APT60S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Microchip Technology

538 -
RFQ
APT60S20BG

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
GD10MPS12A

GD10MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

3,529 -
RFQ
GD10MPS12A

Datenblatt

SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 25A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H065GY-TR

STPSC10H065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,273 -
RFQ
STPSC10H065GY-TR

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETF06FP-M3

VS-20ETF06FP-M3

DIODE GP 600V 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,061 -
RFQ
VS-20ETF06FP-M3

Datenblatt

- TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.67 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-EPU6006LHN3

VS-EPU6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

895 -
RFQ
VS-EPU6006LHN3

Datenblatt

FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSI45-16A

DSI45-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD

IXYS

978 -
RFQ
DSI45-16A

Datenblatt

- TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
1N5712-1

1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

1,793 -
RFQ
1N5712-1

Datenblatt

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
IDH05G120C5XKSA1

IDH05G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1

Infineon Technologies

899 -
RFQ
IDH05G120C5XKSA1

Datenblatt

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-90APS12L-M3

VS-90APS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,295 -
RFQ
VS-90APS12L-M3

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
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