Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Ergebnis

Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
HGW40N120FHA

HGW40N120FHA

1200V 40A IGBT without FRD TO-2

Watech Electronics

1,800 -
RFQ

-

- - Tape & Box (TB) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HKZ75N65SHRA

HKZ75N65SHRA

650V 75A IGBT with 650V 30A SIC

Watech Electronics

1,800 -
RFQ
HKZ75N65SHRA

Datenblatt

- TO-247-4 Tape & Box (TB) Active - 650 V 90 A 300 A 2.3V @ 15V, 75A 395 W 460µJ (on), 660µJ (off) Standard 92 nC 26ns/110ns 400V, 75A, 1.5Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
H3L100R07W2G4

H3L100R07W2G4

650V 100A INPC IGBT with Easy2B

Watech Electronics

1,800 -
RFQ

-

- - Tape & Box (TB) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HKZ75N65SHEB

HKZ75N65SHEB

650V 75A IGBT with 650V 75A FRD

Watech Electronics

1,800 -
RFQ
HKZ75N65SHEB

Datenblatt

- TO-247-4 Tape & Box (TB) Active - 650 V 90 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 394 W 2.39mJ (on), 730µJ (off) Standard 103 nC 41ns/180ns 400V, 75A, 20Ohm, 15V 83 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
HKW75N65SHRA

HKW75N65SHRA

650V 75A IGBT with 650V 30A SIC

Watech Electronics

1,800 -
RFQ
HKW75N65SHRA

Datenblatt

- TO-247-3 Tape & Box (TB) Active - 650 V 90 A 300 A 2.3V @ 15V, 75A 395 W 1.3mJ (on), 800µJ (off) Standard 92 nC 25ns/106ns 400V, 75A, 1.5Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
HKW40N120FHEI

HKW40N120FHEI

1200V 40A IGBT with 1200V 40A fu

Watech Electronics

1,800 -
RFQ
HKW40N120FHEI

Datenblatt

- TO-247-3 Tape & Box (TB) Active - 1200 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 441 W 2.23mJ (on), 1.64mJ (off) Standard 300 nC 68ns/383ns 600V, 40A, 12Ohm, 15V 378 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
HKQ100N65FMTA

HKQ100N65FMTA

650V 100A IGBT with 650V 100A fu

Watech Electronics

1,800 -
RFQ
HKQ100N65FMTA

Datenblatt

- TO-247-3 Tape & Box (TB) Active Field Stop 650 V 200 A 424 A 1.9V @ 15V, 100A 1.086 kW 4.51mJ (on), 2.44mJ (off) Standard 284 nC 84ns/366ns 400V, 100A, 16Ohm, 15V 77 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
F5L200R12N3H3BPSA1

F5L200R12N3H3BPSA1

F5L200R12 = IGBT MODULE

Infineon Technologies

288 -
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
STK762-921G-E

STK762-921G-E

IGBT ACTIVE FILTER POWER IC

Sanyo

600 -
RFQ
STK762-921G-E

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
H3L150R07W2G4

H3L150R07W2G4

650V 150A INPC IGBT with Easy2B

Watech Electronics

1,800 -
RFQ

-

- - Tape & Box (TB) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSM300GA160DN13CB7HOSA1

BSM300GA160DN13CB7HOSA1

BSM300GA160 - INSULATED GATE BIP

Infineon Technologies

74 -
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
HKW75N65SHEB

HKW75N65SHEB

650V 75A IGBT with 650V 75A FRD

Watech Electronics

1,800 -
RFQ
HKW75N65SHEB

Datenblatt

- TO-247-3 Tape & Box (TB) Active - 650 V 90 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 394 W 2.72mJ (on), 750µJ (off) Standard 103 nC 21ns/95ns 400V, 75A, 9Ohm, 15V 86 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FD1200R12IE4B1S1BDMA1

FD1200R12IE4B1S1BDMA1

FD1200R12IE4B1S1BD - IGBT

Infineon Technologies

84 -
RFQ
FD1200R12IE4B1S1BDMA1

Datenblatt

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IGW75N60TFKSA1

IGW75N60TFKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3

Infineon Technologies

64 -
RFQ
IGW75N60TFKSA1

Datenblatt

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 150 A 225 A 2V @ 15V, 75A 428 W 4.5mJ Standard 470 nC 33ns/330ns 400V, 75A, 5Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
APT75GN120LG

APT75GN120LG

IGBT TRENCH FS 1200V 200A TO264

Microchip Technology

20 -
RFQ
APT75GN120LG

Datenblatt

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active Trench Field Stop 1200 V 200 A 225 A 2.1V @ 15V, 75A 833 W 8620µJ (on), 11400µJ (off) Standard 425 nC 60ns/620ns 800V, 75A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1

IGBT 1700V 120A SOT227B

IXYS

13 -
RFQ
IXYN50N170CV1

Datenblatt

XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active - 1700 V 120 A 485 A 3.7V @ 15V, 50A 880 W 8.7mJ (on), 5.6mJ (off) Standard 260 nC 22ns/236ns 850V, 50A, 1Ohm, 15V 255 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
IKW20N60H3FKSA1

IKW20N60H3FKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3

Infineon Technologies

52 -
RFQ
IKW20N60H3FKSA1

Datenblatt

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 40 A 80 A 2.4V @ 15V, 20A 170 W 800µJ Standard 120 nC 17ns/194ns 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V 112 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
IGW30N60TFKSA1

IGW30N60TFKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3

Infineon Technologies

60 -
RFQ
IGW30N60TFKSA1

Datenblatt

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 60 A 90 A 2.05V @ 15V, 30A 187 W 1.46mJ Standard 167 nC 23ns/254ns 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
STGW20NC60VD

STGW20NC60VD

IGBT 600V 60A 200W TO247

STMicroelectronics

89 -
RFQ
STGW20NC60VD

Datenblatt

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Active - 600 V 60 A 150 A 2.5V @ 15V, 20A 200 W 220µJ (on), 330µJ (off) Standard 100 nC 31ns/100ns 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V 44 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
GT40RR21(STA1,E

GT40RR21(STA1,E

IGBT 1200V 40A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

52 -
RFQ
GT40RR21(STA1,E

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 1200 V 40 A 200 A 2.8V @ 15V, 40A 230 W -, 540µJ (off) Standard - - 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
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