Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

IGBT PT 600V 100A

Microchip Technology

115 -
RFQ
APT65GP60B2G

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 100 A 250 A 2.7V @ 15V, 65A 833 W 605µJ (on), 896µJ (off) Standard 210 nC 30ns/91ns 400V, 65A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
NGTB40N120L3WG

NGTB40N120L3WG

IGBT 1200V 160A TO247

onsemi

3,610 -
RFQ
NGTB40N120L3WG

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete Trench Field Stop 1200 V 160 A 160 A 2V @ 15V, 40A 454 W 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) Standard 220 nC 18ns/150ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V 86 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STK762-921G-E

STK762-921G-E

IGBT ACTIVE FILTER POWER IC

onsemi

1,752 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STGD10NC60ST4

STGD10NC60ST4

IGBT 600V 18A 60W DPAK

STMicroelectronics

2,406 -
RFQ
STGD10NC60ST4

Datenblatt

PowerMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete - 600 V 18 A 25 A 1.65V @ 15V, 5A 60 W 60µJ (on), 340µJ (off) Standard 18 nC 19ns/160ns 390V, 5A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SGD04N60BUMA1

SGD04N60BUMA1

IGBT

Infineon Technologies

7,500 -
RFQ
SGD04N60BUMA1

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

15,696 -
RFQ
NGB8207ABNT4G

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 365 V 20 A 50 A 2.2V @ 3.7V, 10A 165 W - Logic - - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
SKP02N60XKSA1

SKP02N60XKSA1

IGBT

Infineon Technologies

6,033 -
RFQ
SKP02N60XKSA1

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGP5N60LS

FGP5N60LS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

19,247 -
RFQ
FGP5N60LS

Datenblatt

- TO-220-3 Bulk Active Field Stop 600 V 10 A 36 A 3.2V @ 12V, 14A 83 W 38µJ (on), 130µJ (off) Standard 18.3 nC 4.3ns/36ns 400V, 5A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FGPF4536

FGPF4536

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

88,700 -
RFQ
FGPF4536

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 360 V - 220 A 1.8V @ 15V, 50A 28.4 W - Standard 47 nC - - - - - - Through Hole TO-220F-3
FGPF70N30TDTU

FGPF70N30TDTU

IGBT TRENCH 300V 70A TO220F

Fairchild Semiconductor

4,534 -
RFQ
FGPF70N30TDTU

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench 300 V 70 A 160 A 1.5V @ 15V, 20A 49.2 W - Standard 125 nC 32ns/175ns 200V, 40A, 15Ohm, 15V 21 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IRGB4B60KD1PBF

IRGB4B60KD1PBF

IRGB4B60K - IGBT WITH ULTRAFAST

International Rectifier

57,450 -
RFQ
IRGB4B60KD1PBF

Datenblatt

- TO-220-3 Bulk Obsolete NPT 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 63 W 73µJ (on), 47µJ (off) Standard 12 nC 22ns/100ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V 93 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

6,021 -
RFQ
ISL9V2040D3ST

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRGS4607DTRLPBF

IRGS4607DTRLPBF

IRGS4607 - DISCRETE IGBT WITH AN

International Rectifier

3,200 -
RFQ
IRGS4607DTRLPBF

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 58 W 140µJ (on), 62µJ (off) Standard 9 nC 27ns/120ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V 48 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60 - DISCRETE IGBT WITH A

International Rectifier

2,850 -
RFQ
IRGSL4B60KD1PBF

Datenblatt

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete NPT 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 63 W 73µJ (on), 47µJ (off) Standard 12 nC 22ns/100ns 400V, 4A, 100Ohm, 15V 93 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRGSL6B60KDPBF

IRGSL6B60KDPBF

IGBT NPT 600V 13A TO262

International Rectifier

10,000 -
RFQ
IRGSL6B60KDPBF

Datenblatt

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete NPT 600 V 13 A 26 A 2.2V @ 15V, 5A 90 W 110µJ (on), 135µJ (off) Standard 18.2 nC 25ns/215ns 400V, 5A, 100Ohm, 15V 70 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF

IGBT NPT 600V 14A TO263

Fairchild Semiconductor

285 -
RFQ
FGB7N60UNDF

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active NPT 600 V 14 A 21 A 2.3V @ 15V, 7A 83 W 99µJ (on), 104µJ (off) Standard 18 nC 5.9ns/32.3ns 400V, 7A, 10Ohm, 15V 32.3 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SGB15N60HSATMA1

SGB15N60HSATMA1

IGBT

Infineon Technologies

6,000 -
RFQ
SGB15N60HSATMA1

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG4BC10SD-SPBF

IRG4BC10SD-SPBF

IGBT 600V 14A D2PAK

International Rectifier

2,050 -
RFQ
IRG4BC10SD-SPBF

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 600 V 14 A 18 A 1.8V @ 15V, 8A 38 W 310µJ (on), 3.28mJ (off) Standard 15 nC 76ns/815ns 480V, 8A, 100Ohm, 15V 28 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NGB8206NTF4G

NGB8206NTF4G

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

onsemi

12,600 -
RFQ
NGB8206NTF4G

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 390 V 20 A - 1.9V @ 4.5V, 20A 150 W - Logic - - - - - - - Surface Mount D2PAK
FGPF4565

FGPF4565

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

891 -
RFQ
FGPF4565

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active Trench Field Stop 650 V - 170 A 1.88V @ 15V, 30A 30 W - Standard 40.3 nC 11.2ns/40.8ns 400V, 30A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
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