Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
FGA40T65UQDF

FGA40T65UQDF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

2,700 -
RFQ
FGA40T65UQDF

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active NPT 650 V 80 A 120 A 1.67V @ 15V, 40A 231 W 989µJ (on), 310µJ (off) Standard 306 nC 32ns/271ns 400V, 40A, 6Ohm, 15V 89 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
FGA30N65SMD

FGA30N65SMD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

8,100 -
RFQ
FGA30N65SMD

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active Field Stop 650 V 60 A 90 A 2.5V @ 15V, 30A 300 W 716µJ (on), 208µJ (off) Standard 87 nC 14ns/102ns 400V, 30A, 6Ohm, 15V 35 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IRG4BC40KPBF

IRG4BC40KPBF

IRG4BC40 - DISCRETE IGBT WITHOUT

International Rectifier

9,723 -
RFQ
IRG4BC40KPBF

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGAF20N60SMD

FGAF20N60SMD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

314 -
RFQ
FGAF20N60SMD

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJP60D0DPK-01#T0

RJP60D0DPK-01#T0

RJH60D0 - INSULATED GATE BIPOLAR

Renesas

1,052 -
RFQ

-

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Obsolete - 600 V 45 A 90 A 2.2V @ 15V, 22A 140 W - Standard 45 nC 35ns/90ns 300V, 22A, 5Ohm, 15V - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
AUIRGSL30B60K

AUIRGSL30B60K

AUIRGSL30B60K - AUTOMOTIVE IGBT

International Rectifier

7,200 -
RFQ
AUIRGSL30B60K

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG6B330UDPBF

IRG6B330UDPBF

IRG6B330UD - IGBT WITH ANTI-PARA

International Rectifier

5,100 -
RFQ
IRG6B330UDPBF

Datenblatt

- TO-220-3 Bulk Obsolete Trench 330 V 70 A - 2.76V @ 15V, 120A 160 W - Standard 85 nC 47ns/176ns 196V, 25A, 10Ohm 60 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
ISL9V3036S3ST

ISL9V3036S3ST

IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D

Fairchild Semiconductor

2,175 -
RFQ
ISL9V3036S3ST

Datenblatt

EcoSPARK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 360 V 21 A - 1.6V @ 4V, 6A 150 W - Logic 17 nC -/4.8µs 300V, 1kOhm, 5V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
FGH40N60SFTU

FGH40N60SFTU

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

13,230 -
RFQ
FGH40N60SFTU

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGAF40N60UFDTU

FGAF40N60UFDTU

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

2,512 -
RFQ
FGAF40N60UFDTU

Datenblatt

- TO-3P-3 Full Pack Bulk Active - 600 V 40 A 160 A 3V @ 15V, 20A 100 W 470µJ (on), 130µJ (off) Standard 77 nC 15ns/65ns 300V, 20A, 10Ohm, 15V 95 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
IRG8P08N120KD-EPBF

IRG8P08N120KD-EPBF

IRG8P08N120 - DISCRETE IGBT WITH

International Rectifier

5,750 -
RFQ
IRG8P08N120KD-EPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Obsolete - 1200 V 15 A 15 A 2V @ 15V, 5A 89 W 300µJ (on), 300µJ (off) Standard 45 nC 20ns/160ns 600V, 5A, 47Ohm, 15V 50 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
RJH60D2DPP-E0#T2

RJH60D2DPP-E0#T2

RJH60D2DPP - IGBT 600V 25A

Renesas Electronics Corporation

28,209 -
RFQ
RJH60D2DPP-E0#T2

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGBS3040E1-SN00390

FGBS3040E1-SN00390

FGBS3040 - SMART IGN-IGBT TO263-

Fairchild Semiconductor

399,871 -
RFQ
FGBS3040E1-SN00390

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

551 -
RFQ
FGA30N60LSDTU

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active Trench Field Stop 600 V 60 A 90 A 1.4V @ 15V, 30A 480 W 1.1mJ (on), 21mJ (off) Standard 225 nC 18ns/250ns 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V 35 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
FGA25S125P-SN00337

FGA25S125P-SN00337

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

412 -
RFQ
FGA25S125P-SN00337

Datenblatt

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active Trench Field Stop 1250 V 50 A 75 A 2.35V @ 15V, 25A 250 W 1.09mJ (on), 580µJ (off) Standard 204 nC 24ns/502ns 600V, 25A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IRGP4078DPBF

IRGP4078DPBF

IRGP4078 - DISCRETE IGBT WITH AN

International Rectifier

800 -
RFQ
IRGP4078DPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Obsolete Trench 600 V 74 A 150 A 2.2V @ 15V, 50A 278 W 1.1mJ (off) Standard 92 nC -/116ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRG7PH35U-EP

IRG7PH35U-EP

IRG7PH35 - DISCRETE IGBT WITHOUT

International Rectifier

8,600 -
RFQ
IRG7PH35U-EP

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Obsolete Trench 1200 V 55 A 60 A 2.2V @ 15V, 20A 210 W 1.06mJ (on), 620µJ (off) Standard 130 nC 30ns/160ns 600V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IRG8P15N120KD-EPBF

IRG8P15N120KD-EPBF

IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH

International Rectifier

8,125 -
RFQ
IRG8P15N120KD-EPBF

Datenblatt

- TO-247-3 Bulk Obsolete - 1200 V 30 A 30 A 2V @ 15V, 10A 125 W 600µJ (on), 600µJ (off) Standard 98 nC 15ns/170ns 600V, 10A, 10Ohm, 15V 60 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IRGP4640D-EPBF

IRGP4640D-EPBF

IRGP4640 - DISCRETE IGBT WITH AN

International Rectifier

24,600 -
RFQ
IRGP4640D-EPBF

Datenblatt

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG8P75N65UD1PBF

IRG8P75N65UD1PBF

IRG8P75N65 - 650V 45A IGBT

International Rectifier

1,000 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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