Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
IHW30N120R5XKSA1

IHW30N120R5XKSA1

IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3

Infineon Technologies

97 -
RFQ
IHW30N120R5XKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 60 A 90 A 1.85V @ 15V, 30A 330 W 1.1mJ (off) Standard 235 nC -/330ns 600V, 30A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

IGBT PT 600V 56A TO247

Microchip Technology

100 -
RFQ
APT15GP60BDQ1G

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 56 A 65 A 2.7V @ 15V, 15A 250 W 130µJ (on), 120µJ (off) Standard 55 nC 8ns/29ns 400V, 15A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
FGH75T65SHDT-F155

FGH75T65SHDT-F155

IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3

onsemi

93 -
RFQ
FGH75T65SHDT-F155

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 150 A 225 A 2.1V @ 15V, 75A 455 W 3mJ (on), 750µJ (off) Standard 123 nC 28ns/86ns 400V, 75A, 3Ohm, 15V 76 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247

Microchip Technology

80 -
RFQ
APT50GN60BDQ2G

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 107 A 150 A 1.85V @ 15V, 50A 366 W 1185µJ (on), 1565µJ (off) Standard 325 nC 20ns/230ns 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
FGH40N60SMD-F085

FGH40N60SMD-F085

IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

onsemi

49 -
RFQ
FGH40N60SMD-F085

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Field Stop 600 V 80 A 120 A 2.5V @ 15V, 40A 349 W 920µJ (on), 300µJ (off) Standard 180 nC 18ns/110ns 400V, 40A, 6Ohm, 15V 47 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IXYH55N120C4

IXYH55N120C4

IGBT 1200V 140A TO247

IXYS

90 -
RFQ
IXYH55N120C4

Datenblatt

XPT™ TO-247-3 Tube Active - 1200 V 140 A 290 A 2.5V @ 15V, 55A 650 W 3.5mJ (on), 1.34mJ (off) Standard 114 nC 20ns/180ns 600V, 40A, 5Ohm, 15V 50 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

IGBT NPT 1200V 52A TO247

Microchip Technology

78 -
RFQ
APT33GF120BRG

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 52 A 104 A 3.2V @ 15V, 25A 297 W 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) Standard 170 nC 25ns/210ns - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

IGBT PT 600V 143A TO264

Microchip Technology

52 -
RFQ
APT80GA60LD40

Datenblatt

POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 143 A 240 A 2.5V @ 15V, 47A 625 W 840µJ (on), 751µJ (off) Standard 230 nC 23ns/158ns 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V 22 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
IXBH16N170A

IXBH16N170A

IGBT 1700V 16A TO247AD

IXYS

93 -
RFQ
IXBH16N170A

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 1.2mJ (off) Standard 65 nC 15ns/160ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
FGY100T120RWD

FGY100T120RWD

IGBT FIELD STOP 1200V 200A TO247

onsemi

37 -
RFQ
FGY100T120RWD

Datenblatt

- TO-247-3 Variant Tube Active Field Stop 1200 V 200 A 300 A 1.75V @ 15V, 100A 1495 W 8.13mJ (on), 7.05mJ (off) Standard 427 nC 80ns/364ns 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V 347 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A

Microchip Technology

39 -
RFQ
APT100GN120B2G

Datenblatt

- TO-247-3 Variant Tube Active Trench Field Stop 1200 V 245 A 300 A 2.1V @ 15V, 100A 960 W 11mJ (on), 9.5mJ (off) Standard 540 nC 50ns/615ns 800V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXLF19N250A

IXLF19N250A

IGBT 2500V 32A 250W I4PAC

IXYS

11 -
RFQ
IXLF19N250A

Datenblatt

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active NPT 2500 V 32 A - 3.9V @ 15V, 19A 250 W 15mJ (on), 30mJ (off) Standard 142 nC - 1500V, 19A, 47Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
IXBH32N300

IXBH32N300

IGBT 3000V 80A 400W TO247

IXYS

12 -
RFQ
IXBH32N300

Datenblatt

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC - - 1.5 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
STGF15H60DF

STGF15H60DF

IGBT 600V 30A 30W TO220FP

STMicroelectronics

59 -
RFQ
STGF15H60DF

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Tube Active Trench Field Stop 600 V 30 A 60 A 2V @ 15V, 15A 30 W 136µJ (on), 207µJ (off) Standard 81 nC 24.5ns/118ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 103 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STGB25N40LZAG

STGB25N40LZAG

IGBT 435V 25A TO263

STMicroelectronics

46 -
RFQ
STGB25N40LZAG

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - 435 V 25 A 50 A 1.25V @ 4V, 6A 150 W - Logic 26 nC 1.1µs/4.6µs 300V, 10A, 1kOhm, 5V - -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IHW15N120E1XKSA1

IHW15N120E1XKSA1

IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247

Infineon Technologies

61 -
RFQ
IHW15N120E1XKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Not For New Designs NPT and Trench 1200 V 30 A 45 A 2V @ 15V, 15A 156 W 300µJ (off) Standard 90 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
IHW25N120E1XKSA1

IHW25N120E1XKSA1

IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247

Infineon Technologies

80 -
RFQ
IHW25N120E1XKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Not For New Designs NPT and Trench 1200 V 50 A 75 A 2V @ 15V, 25A 231 W 800µJ (off) Standard 147 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
GT30N135SRA,S1E

GT30N135SRA,S1E

IGBT 1350V 60A TO247

Toshiba Semiconductor and Storage

39 -
RFQ
GT30N135SRA,S1E

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active - 1350 V 60 A 120 A 2.6V @ 15V, 60A 348 W -, 1.3mJ (off) Standard 270 nC - 300V, 60A, 39Ohm, 15V - 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
AOK50B60D1

AOK50B60D1

IGBT 600V 100A 312W TO247

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

52 -
RFQ
AOK50B60D1

Datenblatt

Alpha IGBT™ TO-247-3 Tube Not For New Designs - 600 V 100 A 168 A 2.4V @ 15V, 50A 312 W 2.37mJ (on), 500µJ (off) Standard 64 nC 26ns/68ns 400V, 50A, 6Ohm, 15V 132 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IGW50N60H3FKSA1

IGW50N60H3FKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3

Infineon Technologies

83 -
RFQ
IGW50N60H3FKSA1

Datenblatt

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 100 A 200 A 2.3V @ 15V, 50A 333 W 2.36mJ Standard 315 nC 23ns/235ns 400V, 50A, 7Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
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