Einzel-IGBTs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne IGBTs

TomatoElec liefert einzelne IGBTs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst einzelne Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die in Schalt-, Leistungswandlungs- und Steuerungsschaltungen eingesetzt werden.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner IGBTs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung einzelner IGBTs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom - Kollektor gepulst (Icm) Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic Leistung – Max Schaltenergie Eingabetyp Gate-Ladung Td (ein/aus) @ 25°C Testbedingung Sperrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
STGWA40HP65FB2

STGWA40HP65FB2

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4

STMicroelectronics

36 -
RFQ
STGWA40HP65FB2

Datenblatt

HB2 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 72 A 120 A 2V @ 15V, 40A 227 W 410µJ (off) Standard 153 nC -/125ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 140 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
IXGA48N60A3

IXGA48N60A3

IGBT 600V 120A 300W TO263AA

IXYS

97 -
RFQ
IXGA48N60A3

Datenblatt

GenX3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 600 V 120 A 300 A 1.35V @ 15V, 32A 300 W 950µJ (on), 2.9mJ (off) Standard 110 nC 25ns/334ns 480V, 32A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
AIGB40N65H5ATMA1

AIGB40N65H5ATMA1

DISCRETE SWITCHES

Infineon Technologies

65 -
RFQ
AIGB40N65H5ATMA1

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active NPT 650 V 40 A - - - - Standard - - - - - - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IXXH30N65B4

IXXH30N65B4

IGBT PT 650V 65A TO247AD

IXYS

56 -
RFQ
IXXH30N65B4

Datenblatt

GenX4™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 65 A 146 A 2V @ 15V, 30A 230 W 1.55mJ (on), 480µJ (off) Standard 52 nC 32ns/170ns 400V, 30A, 15Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
APT43GA90B

APT43GA90B

IGBT PT 900V 78A TO247

Microchip Technology

81 -
RFQ
APT43GA90B

Datenblatt

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active PT 900 V 78 A 129 A 3.1V @ 15V, 25A 337 W 875µJ (on), 425µJ (off) Standard 116 nC 12ns/82ns 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
FGHL50T65SQDT

FGHL50T65SQDT

IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3

onsemi

26 -
RFQ
FGHL50T65SQDT

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 100 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 268 W 223µJ (on), 91.13µJ (off) Standard 99.7 nC 22.8ns/70ns 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXGP20N120A3

IXGP20N120A3

IGBT 1200V 40A 180W TO220

IXYS

31 -
RFQ
IXGP20N120A3

Datenblatt

GenX3™ TO-220-3 Tube Active PT 1200 V 40 A 120 A 2.5V @ 15V, 20A 180 W 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Standard 50 nC 16ns/290ns 960V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NGTB40N65FL2WG

NGTB40N65FL2WG

IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247

onsemi

39 -
RFQ
NGTB40N65FL2WG

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 366 W 970µJ (on), 440µJ (off) Standard 170 nC 84ns/177ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 72 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXGH10N170A

IXGH10N170A

IGBT NPT 1700V 10A TO247AD

IXYS

88 -
RFQ
IXGH10N170A

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 10 A 20 A 6V @ 15V, 5A 140 W 380µJ (off) Standard 29 nC 46ns/190ns 850V, 10A, 22Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

IGBT NPT 1200V 54A TO247

Microchip Technology

88 -
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

Datenblatt

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 54 A 75 A 3.7V @ 15V, 25A 347 W 930µJ (on), 720µJ (off) Standard 170 nC 14ns/150ns 800V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7

STMicroelectronics

48 -
RFQ
STGW75H65DFB2-4

Datenblatt

HB2 TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 650 V 115 A 225 A 2V @ 15V, 75A 357 W 992µJ (on), 766µJ (off) Standard 207 nC 22ns/121ns 400V, 75A, 10Ohm, 15V 88 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
APT95GR65B2

APT95GR65B2

IGBT NPT 650V 208A TMAX

Microchip Technology

58 -
RFQ
APT95GR65B2

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active NPT 650 V 208 A 400 A 2.4V @ 15V, 95A 892 W 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) Standard 420 nC 29ns/226ns 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
IKFW40N65ES5XKSA1

IKFW40N65ES5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247

Infineon Technologies

33 -
RFQ
IKFW40N65ES5XKSA1

Datenblatt

Trenchstop™ 5 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 60 A 120 A 1.7V @ 15V, 30A 106 W 560µJ (on), 320µJ (off) Standard 70 nC 17ns/124ns 400V, 30A, 13Ohm, 15V 75 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-HSIP247-3-2
IKFW50N65ES5XKSA1

IKFW50N65ES5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247

Infineon Technologies

66 -
RFQ
IKFW50N65ES5XKSA1

Datenblatt

Trenchstop™ 5 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 74 A 160 A 1.7V @ 15V, 40A 127 W 860µJ (on), 400µJ (off) Standard 95 nC 19ns/130ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 69 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-HSIP247-3-2
STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1

STMicroelectronics

68 -
RFQ
STGW100H65FB2-4

Datenblatt

HB2 TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 650 V 145 A 300 A 1.8V @ 15V, 100A 441 W 1.06mJ (on), 1.14mJ (off) Standard 288 nC 23ns/141ns 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IKZA75N65RH5XKSA1

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4

Infineon Technologies

49 -
RFQ
IKZA75N65RH5XKSA1

Datenblatt

TrenchStop™ 5 TO-247-4 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 395 W 310µJ (on), 300µJ (off) Standard 168 nC 25ns/180ns 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
IKFW75N65ES5XKSA1

IKFW75N65ES5XKSA1

IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247

Infineon Technologies

6,906 -
RFQ
IKFW75N65ES5XKSA1

Datenblatt

Trenchstop™ 5 TO-247-3 Bulk Active Trench Field Stop 650 V 80 A 240 A 1.7V @ 15V, 60A 148 W 1.48mJ (on), 660µJ (off) Standard 144 nC 24ns/152ns 400V, 60A, 8Ohm, 15V 71 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-HSIP247-3-2
APT25GP120BG

APT25GP120BG

IGBT PT 1200V 69A TO247

Microchip Technology

18 -
RFQ
APT25GP120BG

Datenblatt

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 69 A 90 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W 500µJ (on), 438µJ (off) Standard 110 nC 12ns/70ns 600V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXGH10N170

IXGH10N170

IGBT 1700V 20A 110W TO247

IXYS

55 -
RFQ
IXGH10N170

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 20 A 70 A 4V @ 15V, 10A 110 W - Standard 32 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXXH100N60C3

IXXH100N60C3

IGBT 600V 190A 830W TO247AD

IXYS

17 -
RFQ
IXXH100N60C3

Datenblatt

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 190 A 380 A 2.2V @ 15V, 70A 830 W 2mJ (on), 950µJ (off) Standard 150 nC 30ns/90ns 360V, 70A, 2Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
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