Diodes Incorporated ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
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ZXMP10A17E6QTA
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
SOT-23-6
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
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ZXMP10A17E6QTA Spezifikationen

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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
350mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
10.7 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
424 pF @ 50 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-26
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. ZXMP10A17E6QTA
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-26

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