Diodes Incorporated ZVN3320A

ZVN3320A Supplier & Distributor

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Teilenr.:
ZVN3320A
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
-
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
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ZVN3320A Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
*
Verpackung/Gehäuse:
-
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
-
Technologie:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
-
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Vgs (Max):
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
-
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
-
Lieferant Gerätepaket:
-
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. ZVN3320A ZVN3320ASTOA ZVN3320ASTOB ZVN3320ASTZ
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie * * - -
Verpackung/Gehäuse - - E-Line-3 E-Line-3
Verpackung Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
Produktstatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FET-Typ - - N-Channel N-Channel
Technologie - - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - 200 V 200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C - - 100mA (Ta) 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) - - 10V 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - - 25Ohm @ 100mA, 10V 25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - - 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Vgs (Max) - - ±20V ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V
FET-Funktion - - - -
Leistungsverlust (Max) - - 625mW (Ta) 625mW (Ta)
Betriebstemperatur - - - -
Klasse - - - -
Qualifizierung - - - -
Montageart - - Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket - - E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible)

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