Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
TPN30008NH,LQ
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-PowerVDFN
Datenblatt:
TomatoElecTPN30008NH,LQ.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
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TPN30008NH,LQ Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
U-MOSVIII-H
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerVDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
80 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
9.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
920 pF @ 40 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
700mW (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. TPN30008NH,LQ
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Verpackung/Gehäuse 8-PowerVDFN
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 9.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)

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