STMicroelectronics STI6N90K5

STI6N90K5 Supplier & Distributor

STI6N90K5 is an electronic component from STMicroelectronics. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
STI6N90K5
Hersteller:
STMicroelectronics
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Datenblatt:
TomatoElecSTI6N90K5.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
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About STI6N90K5

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STI6N90K5 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
STMicroelectronics
Serie:
MDmesh™ K5
Verpackung/Gehäuse:
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
900 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Vgs (Max):
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
110W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
I2PAK
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. STI6N90K5
Hersteller STMicroelectronics
Serie MDmesh™ K5
Verpackung/Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket I2PAK

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