STMicroelectronics STB32N65M5

STB32N65M5 Supplier & Distributor

STB32N65M5 is an electronic component manufactured by STMicroelectronics. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
STB32N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt:
TomatoElecSTB32N65M5.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
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About STB32N65M5

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STB32N65M5 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
STMicroelectronics
Serie:
MDmesh™ V
Verpackung/Gehäuse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
119mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
72 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3320 pF @ 100 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
150W (Tc)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
D2PAK
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. STB32N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Verpackung/Gehäuse TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 119mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3320 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 150W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket D2PAK

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