STMicroelectronics SCTWA50N120

SCTWA50N120 Supplier & Distributor

SCTWA50N120 is an electronic component manufactured by STMicroelectronics. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
SCTWA50N120
Hersteller:
STMicroelectronics
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecSCTWA50N120.pdf
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
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SCTWA50N120 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
STMicroelectronics
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
122 nC @ 20 V
Vgs (Max):
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1900 pF @ 400 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
318W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
HiP247™
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. SCTWA50N120
Hersteller STMicroelectronics
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-3
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 318W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket HiP247™

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