Rohm Semiconductor SCT4026DRHRC15

SCT4026DRHRC15 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
SCT4026DRHRC15
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-4
Datenblatt:
TomatoElecSCT4026DRHRC15.pdf
Beschreibung:
750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
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SCT4026DRHRC15 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-4
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
750 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.8V @ 15.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
94 nC @ 18 V
Vgs (Max):
+21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2320 pF @ 500 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
176W
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-4L
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. SCT4026DRHRC15
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-4
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 15.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 18 V
Vgs (Max) +21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 500 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 176W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247-4L

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