Rohm Semiconductor SCT3080KW7TL

SCT3080KW7TL Supplier & Distributor

SCT3080KW7TL is an electronic component manufactured by Rohm Semiconductor. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
SCT3080KW7TL
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt:
TomatoElecSCT3080KW7TL.pdf
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
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SCT3080KW7TL Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC @ 18 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
785 pF @ 800 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
159W
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TO-263-7
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. SCT3080KW7TL
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785 pF @ 800 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 159W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TO-263-7

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