SMC Diode Solutions S2M0040120D-1

S2M0040120D-1 Supplier & Distributor

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S2M0040120D-1
Hersteller:
SMC Diode Solutions
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecS2M0040120D-1.pdf
Beschreibung:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
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S2M0040120D-1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
SMC Diode Solutions
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
55A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
92.1 nC @ 20 V
Vgs (Max):
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1904 pF @ 1000 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
348W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247AD
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. S2M0040120D S2M0040120D-1
Hersteller SMC Diode Solutions SMC Diode Solutions
Serie - -
Verpackung/Gehäuse TO-247-3 TO-247-3
Verpackung Tube Tube
Produktstatus Active Active
FET-Typ N-Channel N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C - 55A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) - 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - 52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id - 4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - 92.1 nC @ 20 V
Vgs (Max) - +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 1904 pF @ 1000 V
FET-Funktion - -
Leistungsverlust (Max) - 348W (Tc)
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247-3 TO-247AD

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