Rohm Semiconductor RX3G18BGNC16

RX3G18BGNC16 Supplier & Distributor

RX3G18BGNC16 is an electronic component from Rohm Semiconductor. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
RX3G18BGNC16
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-220-3
Datenblatt:
TomatoElecRX3G18BGNC16.pdf
Beschreibung:
NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
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RX3G18BGNC16 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-220-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Not For New Designs
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
168 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
12000 pF @ 20 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
125W (Tc)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-220AB
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-220-3
Verpackung Tube
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 168 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 125W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-220AB

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