Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT

RN1903FE,LF(CT Supplier & Distributor

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Teilenr.:
RN1903FE,LF(CT
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Datenblatt:
TomatoElecRN1903FE,LF(CT.pdf
Beschreibung:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
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RN1903FE,LF(CT Spezifikationen

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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
22kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
22kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA
Frequenz - Übergang:
250MHz
Leistung – Max:
100mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
ES6
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Bilder RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LXHF(CT
Teilenr. RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LXHF(CT
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
Serie - -
Verpackung/Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V 50V
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 22kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22kOhms 22kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V 70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz
Leistung – Max 100mW 100mW
Klasse - Automotive
Qualifizierung - AEC-Q101
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket ES6 ES6

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