Rohm Semiconductor UMH9NTN

UMH9NTN Supplier & Distributor

UMH9NTN is an electronic component manufactured by Rohm Semiconductor. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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  • Large stock inventory available
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UMH9NTN
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
TomatoElecUMH9NTN.pdf
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
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UMH9NTN Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA
Frequenz - Übergang:
250MHz
Leistung – Max:
150mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
UMT6
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. UMH9NTN
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung – Max 150mW
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
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