onsemi SMUN5311DW1T1G

SMUN5311DW1T1G Supplier & Distributor

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Teilenr.:
SMUN5311DW1T1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
TomatoElecSMUN5311DW1T1G.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
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SMUN5311DW1T1G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA
Frequenz - Übergang:
-
Leistung – Max:
250mW
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. SMUN5311DW1T1G
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung – Max 250mW
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363

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