Toshiba Semiconductor and Storage RN1602(TE85L,F)

RN1602(TE85L,F) Supplier & Distributor

RN1602(TE85L,F) is an electronic component manufactured by Toshiba Semiconductor and Storage. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
RN1602(TE85L,F)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Datenblatt:
TomatoElecRN1602(TE85L,F).pdf
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
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RN1602(TE85L,F) Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:
250MHz
Leistung – Max:
300mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SM6
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. RN1602(TE85L,F)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Verpackung/Gehäuse SC-74, SOT-457
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung – Max 300mW
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SM6

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