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Renesas Electronics Corporation RJK2017DPP-90#T2
RJK2017DPP-90#T2 Supplier & Distributor
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- Teilenr.:
- RJK2017DPP-90#T2
- Hersteller:
- Renesas Electronics Corporation
- Kategorie:
- FETs, MOSFETs
- Gehäuse:
- -
- Datenblatt:
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RJK2017DPP-90#T2.pdf
- Beschreibung:
- N-CHANNEL POWER MOSFET
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About RJK2017DPP-90#T2
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RJK2017DPP-90#T2 Spezifikationen
- Spezifikationen
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- Hersteller
- Renesas Electronics Corporation
- Serie:
- *
- Verpackung/Gehäuse:
- -
- Verpackung:
- Bulk
- Produktstatus:
- Active
- FET-Typ:
- -
- Technologie:
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- Drain-Source-Spannung (Vdss):
- -
- Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
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- Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
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- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
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- Vgs(th) (Max) @ Id:
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- Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
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- Vgs (Max):
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- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
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- FET-Funktion:
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- Leistungsverlust (Max):
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- Betriebstemperatur:
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- Klasse:
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- Qualifizierung:
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- Montageart:
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- Lieferant Gerätepaket:
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- Kategorie:
- FETs, MOSFETs
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Preis und Lagerbestand von RJK2017DPP-90#T2 können sich aufgrund von Marktsituation und Bestandsbewegungen ändern. Wir aktualisieren die Informationen so häufig wie möglich, jedoch sollten endgültiger Preis und Verfügbarkeit immer durch unser Vertriebsteam bestätigt werden. In den meisten Fällen ist ein Angebot 3 bis 5 Tage gültig.
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| Teilenr. | RJK2017DPP-M0#T2 | RJK2017DPP-90#T2F | RJK2017DPP-B1#T2F | RJK2017DPP-90#T2 |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation | Renesas Electronics Corporation | Renesas Electronics Corporation | Renesas Electronics Corporation |
| Serie | - | * | * | * |
| Verpackung/Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | - | - | - |
| Verpackung | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| Produktstatus | Active | Active | Active | Active |
| FET-Typ | N-Channel | - | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | - | - | - |
| Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C | 45A (Ta) | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V | - | - | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 22.5A, 10V | - | - | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | - | - | - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±30V | - | - | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V | - | - | - |
| FET-Funktion | - | - | - | - |
| Leistungsverlust (Max) | 30W (Tc) | - | - | - |
| Betriebstemperatur | 150°C | - | - | - |
| Klasse | - | - | - | - |
| Qualifizierung | - | - | - | - |
| Montageart | Through Hole | - | - | - |
| Lieferant Gerätepaket | TO-220FL | - | - | - |
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