Nexperia USA Inc. PXN012-100QSJ

PXN012-100QSJ Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
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PXN012-100QSJ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-PowerVDFN
Datenblatt:
TomatoElecPXN012-100QSJ.pdf
Beschreibung:
N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
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PXN012-100QSJ Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerVDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
50A
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Vgs (Max):
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
58W
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
MLPAK33
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. PXN012-100QLJ PXN012-100QSJ
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - -
Verpackung/Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active
FET-Typ N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 50A (Tc) 50A
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - -
Vgs(th) (Max) @ Id - -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Vgs (Max) - -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - -
FET-Funktion - -
Leistungsverlust (Max) 58W 58W
Betriebstemperatur - -
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket MLPAK33 MLPAK33

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