Nexperia USA Inc. PUMD20,115

PUMD20,115 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
PUMD20,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
TomatoElecPUMD20,115.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
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PUMD20,115 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
2.2kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
2.2kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
1µA
Frequenz - Übergang:
-
Leistung – Max:
300mW
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q100
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
6-TSSOP
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. PUMD20,115 PUMD20/ZLX
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - -
Verpackung/Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung Tape & Reel (TR) Bulk
Produktstatus Active Obsolete
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V 50V
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms 2.2kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 2.2kOhms 2.2kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V 30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 1µA 1µA
Frequenz - Übergang - -
Leistung – Max 300mW 300mW
Klasse Automotive -
Qualifizierung AEC-Q100 -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 6-TSSOP 6-TSSOP

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