Nexperia USA Inc. PSMNR89-25YLEX

PSMNR89-25YLEX Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
PSMNR89-25YLEX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
SC-100, SOT-669
Datenblatt:
TomatoElecPSMNR89-25YLEX.pdf
Beschreibung:
PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
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PSMNR89-25YLEX Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SC-100, SOT-669
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
25 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
270A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
0.98mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
120 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7452 pF @ 12 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
224W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
LFPAK56, Power-SO8
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Nexperia USA Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse SC-100, SOT-669
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 270A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 0.98mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7452 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 224W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket LFPAK56, Power-SO8

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