Nexperia USA Inc. PSMN1R4-100ASEJ

PSMN1R4-100ASEJ Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
PSMN1R4-100ASEJ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Datenblatt:
TomatoElecPSMN1R4-100ASEJ.pdf
Beschreibung:
N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
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PSMN1R4-100ASEJ Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
340A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1.36mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
366 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
26023 pF @ 50 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
935W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
CCPAK1212
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - - - - -
Verpackung/Gehäuse SC-100, SOT-669 SOT-1023, 4-LFPAK 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active Active Active Active
FET-Typ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 100A (Tc) 240A (Tc) 340A (Tc) 340A (Tc) 400A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V 10V 10V 10V 7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.42mOhm @ 25A, 10V 1.4mOhm @ 25A, 10V 1.36mOhm @ 25A, 10V 1.42mOhm @ 25A, 10V 1.35mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA 3.6V @ 1mA 3.6V @ 1mA 3.6V @ 1mA 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 54.8 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 366 nC @ 10 V 366 nC @ 10 V 248 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 15 V 7523 pF @ 20 V 26023 pF @ 50 V 26023 pF @ 50 V 17737 pF @ 50 V
FET-Funktion - - - - -
Leistungsverlust (Max) 166W (Tc) 333W (Tc) 935W (Tc) 935W (Tc) 1.071kW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse - - - - -
Qualifizierung - - - - -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 CCPAK1212 CCPAK1212i CCPAK1212i

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