Nexperia USA Inc. PSMN012-60MSX

PSMN012-60MSX Supplier & Distributor

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Teilenr.:
PSMN012-60MSX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Datenblatt:
TomatoElecPSMN012-60MSX.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
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PSMN012-60MSX Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
53A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
24.8 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1625 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
75W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
LFPAK33
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. PSMN012-60YS,115 PSMN012-60MSX PSMN012-100YSFX PSMN012-100YLX PSMN012-80PS,127
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - - - TrenchMOS™ -
Verpackung/Gehäuse SC-100, SOT-669 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 TO-220-3
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Produktstatus Active Active Active Active Obsolete
FET-Typ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 100 V 80 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 59A (Tc) 53A (Tc) 65A (Tc) 85A (Tc) 74A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V 10V 7V, 10V 5V, 10V 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 15A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 11.8mOhm @ 20A, 10V 11.9mOhm @ 25A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 2.1V @ 1mA 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28.4 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1685 pF @ 30 V 1625 pF @ 25 V 2800 pF @ 50 V 7973 pF @ 25 V 2782 pF @ 12 V
FET-Funktion - - - - -
Leistungsverlust (Max) 89W (Tc) 75W (Tc) 130W (Tc) 238W (Tc) 148W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse - - - - -
Qualifizierung - - - - -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Lieferant Gerätepaket LFPAK56, Power-SO8 LFPAK33 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB

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