onsemi NVHL160N120SC1

NVHL160N120SC1 Supplier & Distributor

NVHL160N120SC1 is an electronic component manufactured by onsemi. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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NVHL160N120SC1
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecNVHL160N120SC1.pdf
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
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NVHL160N120SC1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 20 V
Vgs (Max):
+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
665 pF @ 800 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
119W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-3
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-3
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 665 pF @ 800 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 119W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247-3

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