onsemi NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG Supplier & Distributor

NTMSD2P102R2SG is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NTMSD2P102R2SG
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
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NTMSD2P102R2SG Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max):
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
750 pF @ 16 V
FET-Funktion:
Schottky Diode (Isolated)
Leistungsverlust (Max):
-
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. NTMSD2P102R2SG
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Bulk
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Leistungsverlust (Max) -
Betriebstemperatur -
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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