onsemi NTLJS1102PTAG

NTLJS1102PTAG Supplier & Distributor

NTLJS1102PTAG is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NTLJS1102PTAG
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt:
TomatoElecNTLJS1102PTAG.pdf
Beschreibung:
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
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NTLJS1102PTAG Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
µCool™
Verpackung/Gehäuse:
6-WDFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
8 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
36mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
720mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max):
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1585 pF @ 4 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
700mW (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
6-WDFN (2x2)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. NTLJS1102PTAG
Hersteller onsemi
Serie µCool™
Verpackung/Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 700mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 6-WDFN (2x2)

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