onsemi NTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G Supplier & Distributor

NTHS4101PT1G is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NTHS4101PT1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-SMD, Flat Leads
Datenblatt:
TomatoElecNTHS4101PT1G.pdf
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
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NTHS4101PT1G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SMD, Flat Leads
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.8A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max):
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2100 pF @ 16 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
ChipFET™
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. NTHS4101PT1G
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SMD, Flat Leads
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4.8A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 16 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket ChipFET™

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