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NTH4L025N065SC1 Supplier & Distributor

NTH4L025N065SC1 is an electronic component manufactured by onsemi. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
NTH4L025N065SC1
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-4
Datenblatt:
TomatoElecNTH4L025N065SC1.pdf
Beschreibung:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
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NTH4L025N065SC1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-4
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
99A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 15.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
164 nC @ 18 V
Vgs (Max):
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3480 pF @ 15 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
348W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-4L
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. NTH4L025N065SC1
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-4
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 99A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 15.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3480 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 348W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247-4L

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