onsemi NTBL023N065M3S

NTBL023N065M3S Supplier & Distributor

NTBL023N065M3S is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
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Teilenr.:
NTBL023N065M3S
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-PowerSFN
Datenblatt:
TomatoElecNTBL023N065M3S.pdf
Beschreibung:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
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NTBL023N065M3S Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerSFN
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
77A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
32.6mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
69 nC @ 18 V
Vgs (Max):
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1950 pF @ 400 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
312W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-HPSOF
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. NTBL023N065M3S
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-PowerSFN
Verpackung Bulk
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 77A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 32.6mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 312W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-HPSOF

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