Microchip Technology MSC180SMA120S

MSC180SMA120S Supplier & Distributor

MSC180SMA120S is an electronic component from Microchip Technology. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
MSC180SMA120S
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt:
TomatoElecMSC180SMA120S.pdf
Beschreibung:
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
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MSC180SMA120S Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.26V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 20 V
Vgs (Max):
+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
510 pF @ 1000 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
125W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
D3PAK
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. MSC180SMA120S MSC180SMA120SDT/R MSC180SMA120SA
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Serie - mSiC™ -
Verpackung/Gehäuse TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab)
Verpackung Tube Tape & Reel (TR) Tube
Produktstatus Active Active Active
FET-Typ N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 21A (Tc) 21A (Tc) 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 20V 18V, 20V 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 8A, 20V 225mOhm @ 8A, 20V 225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.26V @ 500µA 5V @ 500µA 3.26V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 20 V 36 nC @ 20 V 34 nC @ 20 V
Vgs (Max) +23V, -10V +23V, -10V +23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 1000 V 481 pF @ 1.2 kV 510 pF @ 1000 V
FET-Funktion - - -
Leistungsverlust (Max) 125W (Tc) 146W (Tc) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse - - -
Qualifizierung - - -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket D3PAK TO-263-7 D2PAK-7

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