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MMBF170LT3G Supplier & Distributor

MMBF170LT3G is an electronic component manufactured by onsemi. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
MMBF170LT3G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt:
TomatoElecMMBF170LT3G.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
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About MMBF170LT3G

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MMBF170LT3G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
60 pF @ 10 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
225mW (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. MMBF170LT3G
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 225mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)

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