Littelfuse Inc. LSIC1MO120G0160

LSIC1MO120G0160 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
LSIC1MO120G0160
Hersteller:
Littelfuse Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-4
Datenblatt:
TomatoElecLSIC1MO120G0160.pdf
Beschreibung:
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
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LSIC1MO120G0160 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Littelfuse Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-4
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 20 V
Vgs (Max):
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
890 pF @ 800 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
125W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-4L
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Littelfuse Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-4
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 20 V
Vgs (Max) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 800 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247-4L

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