Microsemi Corporation JANTXV2N6788U

JANTXV2N6788U Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
JANTXV2N6788U
Hersteller:
Microsemi Corporation
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
18-CLCC
Datenblatt:
TomatoElecJANTXV2N6788U.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
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JANTXV2N6788U Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microsemi Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
18-CLCC
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
800mW (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
Military
Qualifizierung:
MIL-PRF-19500/555
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
18-ULCC (9.14x7.49)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. JANTXV2N6788U
Hersteller Microsemi Corporation
Serie -
Verpackung/Gehäuse 18-CLCC
Verpackung Bulk
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 800mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse Military
Qualifizierung MIL-PRF-19500/555
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 18-ULCC (9.14x7.49)

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